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양자점이 포함된 양자점 용액과 유기물이 포함된 유기물 용액을 혼합하여 양자점/유기물 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 양자점/유기물 혼합물에 빛을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 유기물은 상기 양자점 표면을 코팅하고,상기 유기물은 폴리메틸메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA), L-시스테인(L-cysteine), 3-아미노-1-프로파놀(3-Amino-1-propanol) 또는 티오글리콜산(Thioglycolic acid, TGA)인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 양자점이 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe 및 HgTe로부터 선택되는 II-VI족 화합물 반도체 나노결정; GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP 및 InAs로부터 선택되는 III-V족 화합물 반도체 나노결정; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 양자점이 CdSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점 또는 InP/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 유기물이 포함된 유기물 용액의 농도가 0
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제1항에 있어서,상기 빛은 상기 양자점의 밴드갭(band gap)보다 짧은 파장인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 빛은 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제10항에 있어서,상기 할로겐 램프의 파장영역은 360nm 내지 2000nm 인 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 양자점/유기물 혼합물에 빛을 조사하는 단계에서, 10분 내지 60분의 시간동안 상기 양자점/유기물 혼합물에 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 양자점의 표면처리 방법
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