맞춤기술찾기

이전대상기술

티올계 리간드를 포함하는 양자점 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015147
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 모노 티올기와 탄화수소체인만으로 이루어진 리간드로 치환된 성장된 양자점이 제공된다. 이와 같이, 탄화수소 체인과 티올기로만 이루어진 리간드를 이용하여, 고온에서의 표면처리 공정을 통하여 유기용매 상에서의 양자점의 획기적인 산화 내성 향상 및 양자 수율 저하 현상을 방지할 수 있다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01)
출원번호/일자 1020170059354 (2017.05.12)
출원인 한국과학기술연구원, 주식회사 신아티앤씨
등록번호/일자 10-1977282-0000 (2019.05.03)
공개번호/일자 10-2018-0124577 (2018.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20190510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.12)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 신아티앤씨 대한민국 서울특별시 금천구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배완기 대한민국 서울특별시 성북구
2 김재경 대한민국 서울특별시 성북구
3 정병국 대한민국 서울특별시 성북구
4 조익준 대한민국 서울특별시 성북구
5 최호경 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
2 주식회사 신아티앤씨 서울특별시 금천구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0453345-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0026566-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0616259-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1119724-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1119725-98
7 등록결정서
Decision to grant
2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0195135-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장된 양자점에 있어서,상기 양자점은 코어/쉘 구조이고, 상기 코어는 In계이고, 상기 쉘은 Zn계 쉘이며,하기 화학식 1의 리간드로 치환되고,상기 화학식 1의 리간드는, 상기 성장된 양자점의 표면에 격자결합하는 것을 특징으로 하는 성장된 양자점
2 2
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 리간드는 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 양자점
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 리간드의 함량은 Zn계 쉘의 몰수를 기준으로 40% 내지 90%인 것을 특징으로 하는 양자점
6 6
양자점 제조 방법에 있어서,상기 양자점은 코어/쉘 구조이고, 상기 코어는 In계이고, 상기 쉘은 Zn계 쉘이며,성장된 양자점의 리간드를 하기 화학식 1의 리간드로 치환시키는 단계를 포함하고,상기 화학식 1의 리간드는, 상기 성장된 양자점의 표면에 격자결합하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 화학식 1의 리간드는 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 6 항에 있어서,상기 치환된 리간드의 함량은 Zn계 쉘의 몰수를 기준으로 40% 내지 90%인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
11 11
제 6 항에 있어서,상기 성장된 양자점의 리간드는 올레익산, 미리스트산(Myristic acid), 라우르산(Lauric acid) 팔미트산(Palmitic acid), 스테아르산(Stearic acid), 올레일아민(Oleylamine), n-옥틸 아민(n-octyl amine), 헥사데실 아민(Hexadecyl amine), 헥실포스포닉산(Hexyl phosphonic acid), n-옥틸 포스포닉산(n-octyl phosphonic acid), 테트라데실 포스포닉산(Tetradecyl phosphonic acid), 또는 옥타데실 포스포닉산(Octadecyl phosphonic acid)인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
12 12
제 6 항에 있어서,화학식 1의 리간드로 치환된 양자점을 분리 및 추출하는 단계;를 더 포함하는 양자점 제조 방법
13 13
제 6 항에 있어서,상기 치환시키는 단계의 진행 온도는 상온 내지 200℃ 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발 양자 광소재 양산화 기술 개발 및 시스템 구축