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반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법

  • 기술번호 : KST2018015192
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법에 있어서, 탄화규소 기판 상부에 니켈층을 적층하는 단계와; 상기 니켈층의 상부에 티타늄층을 적층하는 단계와; 열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명의 오믹접촉은 탄화규소와 우수한 반응성을 통해 니켈실리사이드의 형성이 용이하며, 카본 클러스터의 형성이 방지되어 균일한 계면을 가지는 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/04 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 29/45 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01)
출원번호/일자 1020170058996 (2017.05.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0124459 (2018.11.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 경상남도 김해시 율하*로 **, *
5 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 석오균 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0450488-23
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0339293-35
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0340540-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0656045-13
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1154346-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1273157-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1273176-34
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0192774-31
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번호 청구항
1 1
반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법에 있어서,탄화규소 기판 상부에 니켈층을 적층하는 단계와;상기 니켈층의 상부에 티타늄층을 적층하는 단계와;열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 니켈층은 상기 티타늄층의 2 내지 150배의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 열처리는 900 내지 1100℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법
4 4
반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉에 있어서,탄화규소로 이루어진 상기 반도체의 상부에 적층되는 니켈층과;상기 니켈층에 순차적으로 적층되는 티타늄층을 포함하며,상기 티타늄층의 상부에 상기 금속이 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉
5 5
제 4항에 있어서,상기 금속은 양극(anode), 음극(cathode), 드레인(drain) 또는 소스(source)인 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2018208112 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018208112 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 고신뢰 전력변환 핵심기술개발 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발