맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 다이의 형상 변화를 이용하여 응력을 감소시킨 유연전자소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018016078
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 다이의 형상 변화를 이용하여 응력을 감소시킨 유연전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유연전자소자는 유연기판 및 상기 유연기판에 적층되는 반도체 다이를 포함하고, 상기 반도체 다이는 응력을 감소시키기 위해 상기 반도체 다이의 적어도 하나의 모서리부가 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 외력에 의해 유연전자소자에 응력이 발생할 때 그 응력이 가장 집중되는 반도체 다이의 형상, 즉, 모양, 두께 및 크기를 변화시킴으로써 유연전자소자의 응력을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 23/498 (2006.01.01) H01L 23/538 (2006.01.01) H01L 21/56 (2006.01.01)
CPC H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01)
출원번호/일자 1020170066025 (2017.05.29)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0130620 (2018.12.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.24)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원준 대한민국 서울특별시 마포구
2 서승호 대한민국 경기도 남양주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이윤직 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 인호 IP 빌딩 **층(명문특허법률사무소)
2 박건우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 인호 IP 빌딩 **층(명문특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0509574-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0307755-92
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연기판; 및상기 유연기판에 적층되는 반도체 다이;를 포함하는 유연전자소자로서,상기 반도체 다이는 응력을 감소시키기 위해 상기 반도체 다이의 적어도 하나의 모서리부가 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연전자소자
2 2
유연기판; 및상기 유연기판에 적층되는 반도체 다이;를 포함하는 유연전자소자로서,상기 반도체 다이는 항복응력 보다 낮은 응력을 가지도록 상기 반도체 다이의 두께를 조절하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연전자소자
3 3
유연기판에 적층되는 반도체 다이로서,응력을 감소시키기 위해 상기 반도체 다이의 적어도 하나의 모서리부가 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이
4 4
유연전자소자 제조방법으로서,반도체 다이의 적어도 하나의 모서리부를 곡면으로 형성시키는 단계;상기 반도체 다이를 유연기판의 상부에 위치시키는 단계; 및몰딩 공정을 통해 상기 반도체 다이를 감싸도록 몰드를 형성하는 단계;를 포함하는 유연전자소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국기계연구원 기계산업핵심기술개발사업 3차원 이종 유연소자 Interconnection 시스템 기술개발