1 |
1
기판 상부에 형성되는 복수의 게이트 라인;상기 복수의 게이트 라인 상부에 형성되는 절연층;상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하는 중첩 영역에 형성되는 반도체층;상기 절연층 상부에 형성되되, 상기 반도체층 상부를 지나도록 형성되며, 상기 복수의 게이트 라인과 상하로 교차하는 부분을 갖는 상기 복수의 데이터 라인;을 포함하고,상기 반도체층의 폭은 상기 게이트 라인의 폭보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 데이터 라인은,서로 교차하는 중첩 영역의 선폭이 다른 영역의 선폭보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 복수의 게이트 라인과 상기 복수의 데이터 라인에 의해 형성되는 공간에 배치되며, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 연결되는 소자부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 게이트 라인으로부터 연장 형성되어, 상기 게이트 라인과 상기 소자부를 연결하는 보조 게이트 라인;상기 데이터 라인으로부터 연장 형성되어, 상기 데이터 라인과 상기 소자부를 연결하는 보조 데이터 라인;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 소자부는,상기 보조 게이트 라인으로부터 연장 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부를 덮으며, 상기 절연층과 일체로 형성되는 소자 절연층;상기 소자 절연층 상부에 상기 반도체층과 함께 형성되는 소자 반도체층;상기 보조 데이터 라인으로부터 연장 형성되되, 상기 소자 반도체층 상부에 형성되는 데이터 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
6 |
6
제5항에 있어서,상기 복수의 데이터 라인, 상기 보조 데이터 라인 및 상기 소자부의 상부를 덮는 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
7 |
7
제5항에 있어서,상기 반도체층은 상기 소자 반도체층과 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널
|
8 |
8
기판 상부에 복수의 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 복수의 게이트 라인 상부에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 상기 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차하는 중첩 영역에 반도체층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 형성하되, 상기 반도체층 상부를 지나도록 상기 복수의 게이트 라인과 서로 교차하는 부분을 갖도록 복수의 데이터 라인을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 반도체층을 형성하는 단계는상기 게이트 라인의 폭보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 게이트 라인을 형성하는 단계 및 상기 데이터 라인을 형성하는 단계에서,상기 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 데이터 라인을 서로 교차하는 중첩 영역의 선폭이 다른 영역의 선폭보다 좁게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법
|