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절연 또는 반절연성 6H-SiC 기판;상기 6H-SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들; 및상기 6H-SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 6H-SiC 기판은 전기 저항이 105~109 Ωcm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 6H-SiC 기판은 단일의 SiC 단결정 몸체인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 반도체 영역들은 소오스 영역, p 웰 영역 및 드레인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 복수의 반도체 영역들은 6H-SiC 기판 표면에 대하여 실질적으로 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 p 웰 영역은 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역 하단으로 연장되어 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역과 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 소오스 영역은 n+ 소오스 영역 및 p+ 소오스 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 n+, p+ 소오스 영역의 도펀트 농도는 1020~1021/cm3이고 깊이는 100nm~300nm 범위를 특징으로 하는 SiC소자
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제4항에 있어서,상기 p 웰 영역의 도펀트 농도는 1016 ~ 1018/cm3 이고 깊이는 300~1000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제4항에 있어서, 상기 p 웰 영역 상에는 산화막과 상기 산화막 상에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 MOSFET 또는 CMOS인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자
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소오스 영역, 드레인 영역 및 p 웰 영역을 포함하는 복수의 반도체 영역과 비 저항이 105 Ωcm 이상인 반절연 영역을 포함하는 단일의 단결정 6H-SiC 기판; 및상기 6H-SiC 기판 상에 형성된 소오스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 금속 산화물 전계효과 트랜지스터
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제12항에 있어서, 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역은 p 웰 영역과 접합면을 형성하고, 상기 복수의 반도체 영역은 횡방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 전계효과 트랜지스터
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절연 또는 반절연성 6H-SiC 기판을 제공하는 단계;상기 6H-SiC 기판 내부에 도펀트를 주입하여 복수의 반도체 영역들을 형성하는 단계; 및상기 6H-SiC 기판 상의 상기 복수의 도핑 영역을 전기적으로 연결하기 위한 전극을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 복수의 반도체 영역은 소오스 영역, p 웰 영역 및 드레인 영역을 포함하고, 상기 복수의 반도체 영역을 형성하는 단계는,제2 도전형의 도펀트를 이온 주입하여 p 웰 영역을 형성하는 단계;상기 p 웰 영역 내에 제1 도전형의 도펀트를 주입하여 n+ 소오스 영역을 형성하는 단계; 상기 p 웰 영역 내에 상기 n+ 소오스 영역의 일측에 제2 도전형의 도펀트를 주입하여 p+ 소오스 영역을 형성하는 단계; 및제1 도전형의 도펀트를 주입하여 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 n+ 소오스 영역과 드레인 영역은 하나의 이온 주입 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 p 웰 영역의 이온 주입 깊이는 300~1000 nm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 소오스와 드레인 영역의 이온 주입 깊이는 100~300 nm인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 p 웰 영역의 도펀트 농도는 1016 ~ 1018/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 n+ 소오스 및 드레인 영역과 p+ 소오스의 도펀트 농도는 1020~1021/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC반도체 소자의 제조 방법
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