| 1 |
1
수용성 전도성 고분자와 하기 화학식 1로 표시되는 수용성 다이아세틸렌 다이올 단량체를 포함하는 전도성 잉크:[화학식 1]HO-(R1)n-C≡C-C≡C-(R2)m-OH상기 화학식 1에서, n과 m은 서로에 관계없이 1 내지 10이고, R1과 R2는 서로에 관계없이 CRaRb 또는 (CRaRb)xO이고, Ra와 Rb는 서로에 관계없이 수소 또는 할로겐기이고, x는 1 내지 3의 정수이다
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 화학식 1에서 R1과 R2는 모두 CH2이고, n과 m은 서로에 관계없이 1 내지 4의 정수인 전도성 잉크
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자는 하기 화학식 2로 나타내어지는 단량체를 갖는 전도성 잉크:[화학식 2]상기 화학식 2에서,X는 S 또는 Se이고,R1 및 R2는 서로에 관계없이, 수소, 할로겐, 하이드록시, C1-C10의 알킬, C1-C10의 알킬옥시이거나, R1과 R2는 함께 합쳐져 3 내지 5 멤버의 알킬렌기, 알케닐렌기, 알킬렌다이옥시기를 형성한다
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 전도성 고분자는 PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene))인 전도성 잉크
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 전도성 잉크는 중합성 카복실산 또는 중합성 설폰산인 고분자 음이온을 더 포함하는 전도성 잉크
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 전도성 잉크는 물, 알코올, 또는 이의 혼합물을 용매로서 함유하는 전도성 잉크
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자 100 중량부에 대해 상기 다이아세틸렌 다이올 단량체는 1 내지 600 중량부로 함유되는 전도성 잉크
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 다이아세틸렌 다이올 단량체는 100 내지 400 중량부로 함유되는 전도성 잉크
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 다이아세틸렌 다이올 단량체는 100 내지 250 중량부로 함유되는 전도성 잉크
|
| 10 |
10
수용성 전도성 고분자와 하기 화학식 1로 표시되는 수용성 다이아세틸렌 다이올 단량체를 포함하는 전도성 잉크를 기판 상에 코팅하여 전도성 필름을 형성하는 단계;상기 전도성 필름 상에 포토마스크를 배치하고, 상기 포토마스크 상에 자외선을 조사하여, 상기 다이아세틸렌 다이올 단량체가 가교되어 형성된 폴리다이아세틸렌을 상기 전도성 고분자와 함께 구비하는 제1 영역과 상기 포토마스크에 의해 자외선이 차단되어 상기 다이아세틸렌 다이올 단량체가 잔존하는 제2 영역을 형성하는 노광 단계; 및상기 제2 영역을 선택적으로 제거하여 전도성 고분자 미세 패턴을 형성하는 미세 패턴 형성 방법:[화학식 1]HO-(R1)n-C≡C-C≡C-(R2)m-OH상기 화학식 1에서, n과 m은 서로에 관계없이 1 내지 10이고, R1과 R2는 서로에 관계없이 CRaRb 또는 (CRaRb)xO이고, Ra와 Rb는 서로에 관계없이 수소 또는 할로겐기이고, x는 1 내지 3의 정수이다
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 플라스틱 기판, 종이 또는 금속 기판인 미세 패턴 형성 방법
|
| 12 |
12
청구항 10에 있어서,상기 전도성 잉크는 상기 전도성 고분자 100 중량부에 대해 상기 다이아세틸렌 다이올을 0
|
| 13 |
13
청구항 10에 있어서,상기 제2 영역을 선택적으로 제거하는 것은 물, 알코올, 또는 이의 혼합액을 사용하여 수행하는 미세 패턴 형성 방법
|
| 14 |
14
청구항 10에 있어서,상기 전도성 고분자 미세 패턴을 과불소화산, 황산, 술폰산, 개미산, 염산, 과염소산, 질산, 아세트산, DMF(dimethylformamide), DMSO(dimethyl sulfoxide), 하이드로퀴논, 카테콜, 및 에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으의 도펀트로 도핑하는 단계를 더 포함하는 미세 패턴 형성 방법
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 도펀트는 하기 화학식 3으로 표시되는 과불소화산인 미세 패턴 형성 방법:[화학식 3]CF3-(CF2)n-A상기 화학식 3에서,n은 3 내지 20의 정수이고, A는 SO3H, OPO3H 또는 CO2H이다
|
| 16 |
16
청구항 15에 있어서,상기 화학식 3의 n은 6 내지 8의 정수이고, A는 SO3H인 미세 패턴 형성 방법
|
| 17 |
17
청구항 15에 있어서,상기 전도성 고분자 미세 패턴은 유기 전자 소자의 전극인 미세 패턴 형성 방법
|
| 18 |
18
수용성 전도성 고분자와 하기 화학식 1A로 표시되는 폴리다이아세틸렌을 포함하는 필름 또는 패턴: [화학식 1A]상기 화학식 1A에서, R1과 R2는 서로에 관계없이 CRaRb 또는 (CRaRb)xO이고, Ra와 Rb는 서로에 관계없이 수소 또는 할로겐기이고, x는 1 내지 3의 정수이고,n과 m은 서로에 관계없이 1 내지 10의 정수이다
|
| 19 |
19
청구항 18에 있어서,상기 필름 또는 패턴은 하기 화학식 3으로 표시되는 과불소화산을 더 포함하는 필름 또는 패턴:[화학식 3]CF3-(CF2)n-A상기 화학식 3에서,n은 3 내지 20의 정수이고, A는 SO3H, OPO3H 또는 CO2H이다
|
| 20 |
20
청구항 18에 있어서,상기 필름 또는 패턴은 중합성 카복실산 또는 중합성 설폰산인 고분자 음이온을 더 포함하는 필름 또는 패턴
|
