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상변이물질 코어;상기 상변이물질 코어를 둘러싸는 포러스(Porous) 카본 제1쉘; 및상기 제1쉘을 둘러싸는 금속 탄화물 제2쉘을 포함하는 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 상변이물질은 Sn, In, Ga, Ge, Al, Pb, Li, Zn, Cu, Au, Ag, CaCO3, Na2CO3 또는 K2CO3인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 상변이물질 코어가 금속일 경우,상기 상변이물질 코어와 상기 포러스 카본 제1쉘 사이에 금속 산화층 쉘을 더 포함하는 코어-쉘 고온 열저장재
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제3항에 있어서,상기 금속 산화층은 SnO2, In2O3, Ga2O3, Al2O3, Pb2O3, Li2O, ZnO, CuO, Au2O3 또는 Ag2O 인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 금속 탄화물은 Al4C3 또는 SiC인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 포러스 카본의 기공크기는 0
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제1항에 있어서,상기 상변이물질 코어의 직경은 50 nm 내지 100 μm이고,상기 포러스 카본 제1쉘의 두께는 10 내지 500 nm이고,상기 금속 탄화물 제2쉘의 두께는 10 내지 100 nm인 코어-쉘 고온 열저장재
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제3항에 있어서,상기 금속 산화층의 두께는 10 내지 100 nm 인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 고온 열저장재는 250 내지 1000 ℃ 온도에서 잠열 또는 축열이 가능한 것을 특징으로 하는 코어-쉘 고온 열저장재
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고온고압 밀폐형 반응기에 코팅 대상 입자를 공급하는 단계;상기 반응기를 밀폐하는 단계;상기 코팅 대상 입자가 금속 상변이 입자일 경우, 상기 반응기를 산화성 기체 분위기 하에서 1차 가열함으로써 상기 상변이물질 입자의 표면을 산화시켜 금속 산화층을 형성하는 단계;상기 반응기에 카본소스를 공급하는 단계;상기 반응기를 2차 가열하여 상기 금속 산화층의 표면에 포러스 카본 층을 형성하는 단계;상기 반응기에 금속탄화물 형성 가능 소스를 공급하는 단계; 및상기 반응기를 3차 가열하여 상기 포러스 카본 층의 표면에 금속 탄화물 층을 형성하는 단계를 포함하는 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 코팅 대상 입자는 Sn, In, Ga, Ge, Al, Pb, Li, Zn, Cu, Au, Ag, CaCO3, Na2CO3 또는 K2CO3인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 상변이 입자는 Al, Sn, Zn, In, Ge 또는 Pb인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 카본소스는 벤젠(Benzene, C6H6), 톨루엔(Toluene, C7H8), 스티렌(Styrene, C8H8), 인덴(Indene, C9H8), 헥산(Hexane, C6H14), 옥탄(Octane, C8H18), 액체 파라핀 오일(Paraffin oil, CxHy), 나프탈렌(Naphthalene, C10H8), 안트라센(Anthracene, C14H10), 플루오렌(Fluorene, C13H10), 고체 파라핀 (Paraffin, CxHy), 파이렌(Pyrene, C16H10), 탄소수 2 내지 8인 모노머로 이루어진 폴리머, 아세틸렌(Acetylene, C2H2), 에틸렌(Ethylene, C2H4), 프로판 (Propane, C3H8), 메탄(Methane, CH4), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리스티렌(Polystyrene) 및 폴리프로필렌(Polypropylene)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 카본소스는 N, P 및 B로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 도핑 원소를 함유하는 카본 소스인 코어-쉘 고온 열저장재 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 카본소스는 멜라민(melamin, C3H6N6), 피리딘(pyridine, C5H5N), 아크릴로니트릴(acrylonitrile, C3H3N), 피롤(Pyrrole, C4H5N), 암모니아(NH3) 와 탄화수소 가스의 혼합 가스, 트리부틸포스핀(tributylphosphine, [CH3(CH2)3]3P), 포스포린(phosphorine, C5H5P), 트리페닐보란(triphenylborane, (C6H5)3B), 보리닌(Borinine, C5H5B), 트리에틸보란(triethylborane((C2H5)3B), 트리메틸보란 (trimethylboron, B(CH3)3), 또는 트리메틸보론-d9(trimethylboron-d9, B(CD3)3), 보란 디메틸아민(borane dimethylamine), 보란 피리딘(borane pyridine), 보란 트리메틸아민(borane trimethylamine), 보란 암모니아(borane-ammonia), 테트라부틸암모늄 시아노보로하이드라이드(tetrabutylammonium cyanoborohydride), 암모늄 테트라페닐보레이트(ammonium tetraphenylborate), 테트라부틸암모늄 보로하이드라이드(tetrabutylammonium borohydride), 테트라메틸암모늄 트리아세톡시보로하이드라이드(tetramethylammonium triacetoxyborohydride), 2,4,6-트리페닐보라진 (2,4,6-triphenylborazine) 및 보란 디페닐포스핀(borane diphenylphosphine)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 코어-쉘 고온 열저장재 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속탄화물 형성 가능 소스는 실레인(Silane) 또는 트리메틸알루미늄(Trimethylaluminum)인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 1차 가열 온도는 250 내지 550 ℃이고,상기 1차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 2차 가열 온도는 550 내지 850 ℃이고,상기 2차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 3차 가열 온도는 700 내지 1200 ℃이고,상기 3차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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