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실리콘 고분자 중합체 및 이를 포함하는 그래핀 전사용 고분자

  • 기술번호 : KST2019004075
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1로서 표시되는 단량체를 중합 개시제와 극성 용매의 존재 하에서 중합하는 단계를 포함하는, 실리콘 고분자 중합체의 제조 방법에 관한 것이다. [화학식 1] (상기 화학식 1에서, Ar은 치환될 수 있는 C6-C20의 아릴이며, 상기 R1, R2, 및 R3은 각각 독립적으로 H, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C20의 알킬, 및 치환될 수 있는 C6-C20의 아릴이며, 상기 치환은 C1-C6의 알킬 또는 C6-C20의 아릴에 의해 치환되는 것임)
Int. CL C08G 77/18 (2006.01.01) C09D 183/04 (2006.01.01)
CPC C08G 77/18(2013.01) C08G 77/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170137172 (2017.10.23)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0044802 (2019.05.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재영 경기도 수원시 장안구
2 김범준 경기도 수원시 장안구
3 나세 터키알 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1041989-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0091271-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0674868-48
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1174928-83
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0005130-58
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0115596-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0214765-76
9 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0214812-24
10 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0214791-53
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0214733-15
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0528314-76
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0957871-89
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-1078856-09
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-1086669-00
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1086663-26
17 등록결정서
Decision to grant
2020.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0210958-58
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번호 청구항
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하기 화학식 2로서 표시되는 실리콘 중합체를 포함하는, 그래핀 전사용 고분자로서,상기 그래핀 전사용 고분자는 상기 실리콘 중합체 상의 아릴기와 그래핀이 파이-파이 결합을 형성하여 상기 그래핀 상에 잔유물 없이 상기 그래핀을 전사할 수 있는 것인, 그래핀 전사용 고분자:[화학식 2](상기 화학식 2에서, Ar은 C6-C20의 아릴이며, 상기 R1은 각각 독립적으로 H, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C20의 알킬, 및 치환될 수 있는 C6-C20의 아릴이며,상기 치환은 C1-C6의 알킬 또는 C6-C20의 아릴에 의해 치환되는 것이고,상기 n은 1 내지 10000인 것임)
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제 1기판 상에 그래핀을 형성하는 단계;하기 화학식 2로서 표시되는 실리콘 중합체를 포함하는 그래핀 전사용 고분자를 제조하는 단계;상기 그래핀 상에 무극성 용매에 분산된 상기 그래핀 전사용 고분자를 코팅하여 상기 실리콘 중합체 상의 아릴기와 상기 그래핀이 파이-파이 결합을 형성하는 단계;상기 제 1기판을 제거하는 단계;상기 그래핀 전사용 고분자에 구비된 상기 그래핀을 제 2기판 상에 전사하는 단계; 및상기 그래핀 전사용 고분자를 제거하는 단계;를 포함하는, 그래핀의 전사 방법:[화학식 2](상기 화학식 2에서,Ar은 C6-C20의 아릴이며,상기 R1은 각각 독립적으로 H, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C20의 알킬, 및 치환될 수 있는 C6-C20의 아릴이며,상기 치환은 C1-C6의 알킬 또는 C6-C20의 아릴에 의해 치환되는 것이고,상기 n은 1 내지 10000인 것임)
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제 11항에 있어서, 상기 무극성 용매는 톨루엔, 헵탄, 사염화탄소, 벤젠, 자일렌, N-메틸피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 니트로벤젠, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸카보네이트, 벤질 아세테이트, 디메틸 글루타레이트, 에틸아세토아세테이트, 이소부틸 이소부타노에이트, 이소부틸 아세테이트, 메타-크레졸 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 용매를 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 11항에 있어서,상기 제 1기판 및 제 2기판은 각각 독립적으로, 금속 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 질화물 기판, 전도성 기판 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 나노융합산업핵심기술개발사업 350 x 350 mm2 단결정 그래핀의 결함최소화를 위한 CVD성장 및 전사 공정기술 개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 중견연구(총연구비1.5억초과~3억이하) 단결정 그래핀 성장기술 개발 및 그래핀 응용소자 개발