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제 1 순방향 테이퍼 부를 포함하는 제 1 도파로;상기 제 1 도파로 상에 배치되고, 상기 제 1 순방향 테이퍼 부와 반대되는 방향의 제 1 역방향 테이퍼 부를 포함하는 제 2 도파로; 및상기 제 1 및 제 2 도파로들 사이에 배치되고, 상기 제 1 순방향 테이퍼 부와 상기 제 1 역방향 테이퍼 부 사이의 거리에 대응되는 두께를 갖는 층간 도파로를 포함하는 광 결합 장치
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2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 층간 도파로는:상기 제 2 도파로 아래에 배치되고, 상기 제 1 순방향 테이퍼 부와 동일한 방향으로 배치된 제 2 순방향 테이퍼 부; 및상기 제 1 도파로 상에 배치되고, 상기 제 1 역방향 테이퍼 부와 동일한 방향으로 배치된 제 2 역방향 테이퍼 부를 포함하는 광 결합 장치
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제 2 항에 있어서,상기 층간 도파로는 상기 제 2 순방향 테이퍼 부와 제 2 역방향 테이퍼 부 사이에 연결된 층간 연결 부를 더 포함하는 광 결합 장치
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제 3 항에 있어서,상기 층간 연결 부는 상기 제 1 순방향 테이퍼 부와 상기 제 1 역방향 테이퍼 부들 사이에 배치되는 광 결합 장치
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5
제 3 항에 있어서,상기 층간 연결 부는 상기 제 1 및 제 2 도파로들의 폭보다 넓은 폭을 갖는 광 결합 장치
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제 1 항에 있어서,상기 층간 도파로는 배 모양을 갖는 광 결합 장치
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도파로, 상기 층간 도파로 및 상기 제 2 도파로를 둘러싸는 클래드를 더 포함하되,상기 층간 도파로는 상기 제 1 및 제 2 도파로들의 굴절률보다 낮고, 상기 클래드보다 높은 굴절률을 갖는 광 결합 장치
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8
제 7 항에 있어서,상기 클래드는 실리콘 산화물을 포함하되,상기 제 1 및 제 2 도파로들의 각각은 실리콘 질화물을 포함하는 광 결합 장치
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9
제 1 항에 있어서,상기 층간 도파로는 실리콘 산 질화물을 포함하는 광 결합 장치
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 역방향 테이퍼 부는 상기 제 1 순방향 테이퍼 부에 정렬되는 광 결합 장치
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11
기판 상에 하부 클래드를 형성하는 단계;상기 하부 클래드 상에 제 1 순방향 테이퍼 부를 갖는 제 1 도파로를 형성하는 단계;상기 제 1 도파로 및 상기 하부 클래드 상에서 상기 제 1 순방향 테이퍼 부를 국부적으로 노출하는 트렌치를 갖는 층간 클래드를 형성하는 단계;상기 트렌치 내에 층간 도파로를 형성하는 단계; 및상기 층간 도파로의 일부와 상기 광 결합기 상에 제 2 도파로를 형성하는 단계를 포함하는 광 결합 장치의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 층간 도파로를 형성하는 단계는 실리콘 산 질화물의 화학기상증착공정및 화학적기계적연마공정을 포함하는 광 결합 장치의 제조 방법
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13
제 11 항에 있어서,상기 제 2 도파로 및 상기 층간 도파로 상에 상부 클래드 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광 결합 장치의 제조 방법
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