맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019005318
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체 박막; 및 상기 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체 박막 상에 광원을 통하여 활성화된 차아염소산나트륨 용액을 코팅한 후 열처리를 통하여 상기 형성된 산화물 반도체 박막을 활성화하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170149446 (2017.11.10)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0053497 (2019.05.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.10)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김현재 서울특별시 마포구
2 김원기 경기도 고양시 일산동구
3 김영규 주소서울특별시 서대문구
4 이희수 서울특별시 성북구
5 박정우 서울특별시 서대문구
6 유혁준 경기도 안양시 동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1117026-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008709-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0269804-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0563407-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0563414-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0750951-36
8 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5034528-23
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체 박막; 및상기 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막 상에 광원을 통하여 활성화된 차아염소산나트륨 용액을 코팅한 후 열처리를 통하여 형성된 상기 산화물 반도체 박막을 활성화하며,열처리 온도에 따라 문턱전압 및 온오프 전류비가 변화되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 열처리는 25℃ 내지 300℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 열처리는 5분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 광원의 조사는 5분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 차아염소산나트륨 용액의 양은 0
6 6
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 비정질 인듐 갈륨 징크 옥사이드(amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 실리콘 인듐 징크 옥사이드(SIZO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
7 7
기판 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 형성된 산화물 반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막 상에 광원을 통하여 활성화된 차아염소산나트륨 용액을 코팅한 후 열처리를 통하여 형성된 상기 산화물 반도체 박막을 활성화하며,열처리 온도에 따라 문턱전압 및 온오프 전류비가 변화되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
8 8
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체 박막 상에 광원을 통하여 활성화된 차아염소산나트륨 용액을 코팅하는 단계;열처리를 통하여 상기 산화물 반도체 박막을 활성화하는 단계;및상기 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,열처리 온도에 따라 문턱전압 및 온오프 전류비가 변화되는 산화물 박막 트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 지능형 디스플레이를 위한 산화물 기반 CMOS image-sensor on panel (CIP) 기술 개발