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산화물 반도체 박막 트랜지스터에 있어서,기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 서로 이격되는 소스/드레인 전극; 및상기 소스/드레인 전극 상에 형성되는 산화물 반도체 박막을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막의 상부에만 선택적으로 슈퍼옥사이드 용액을 도포하고, 전압 바이어스를 인가하여 상기 산화물 반도체 박막 내로 슈퍼옥사이드를 확산시켜 상기 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 제어하며,상기 슈퍼옥사이드 용액은 칼륨 슈퍼옥사이드(KO2), 나트륨 슈퍼옥사이드(NaO2), 루비듐 슈퍼옥사이드(RbO2) 및 세슘 슈퍼옥사이드(CsO2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드의 양이온은 상기 산화물 반도체 박막 내로 확산되어, 상기 산화물 반도체 박막의 캐리어 농도를 제어하고, 상기 슈퍼옥사이드의 음이온은 상기 산화물 반도체 박막 내로 확산되어, 상기 산화물 반도체 박막의 산소 공공을 제어하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 전압 바이어스는 상기 게이트 전극에 음의 바이어스 또는 양의 바이어스를 순차적으로 적어도 1회 이상 인가하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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삭제
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제2항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드의 양이온은 칼륨 이온(K+), 나트륨 이온(Na+), 루비듐 이온(Rb+) 및 세슘 이온(Cs+) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드의 음이온은 슈퍼옥사이드 음이온 라디칼(·O2-) 및 수산화 라디칼(·OH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드 용액은 상기 슈퍼옥사이드, 첨가제 및 용매를 포함하고, 상기 슈퍼옥사이드와 첨가제의 부피비는 1:1 내지 2:1인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 비정질 인듐 갈륨 징크 옥사이드(amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 실리콘 인듐 징크 옥사이드(SIZO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 서로 이격되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스/드레인 전극 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계는,상기 산화물 반도체 박막의 상부에만 선택적으로 슈퍼옥사이드 용액을 도포하고, 전압 바이어스를 인가하여 상기 산화물 반도체 박막 내로 슈퍼옥사이드를 확산시켜 상기 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 제어하며,상기 슈퍼옥사이드 용액은 칼륨 슈퍼옥사이드(KO2), 나트륨 슈퍼옥사이드(NaO2), 루비듐 슈퍼옥사이드(RbO2) 및 세슘 슈퍼옥사이드(CsO2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 슈퍼옥사이드의 양이온은 상기 산화물 반도체 박막 내로 확산되어, 상기 산화물 반도체 박막의 캐리어 농도를 제어하고, 상기 슈퍼옥사이드의 음이온은 상기 산화물 반도체 박막 내로 확산되어, 상기 산화물 반도체 박막의 산소 공공을 제어하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계는,80℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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