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온도측정 대상물에 접촉되는 유연한 하부기판;상기 하부기판과 밀착 결합되는 유연한 상부기판;표면 리간드가 무기 리간드로 교환된 제1 은 나노입자를 포함하고, 박막 형태로, 상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 배치되며, 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 양 (positive)의 값을 가지는 제1 감지층; 및표면 리간드가 유기 리간드로 교환된 제2 은 나노입자를 포함하고, 박막 형태로, 상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에, 상기 제1 감지층과 이격되어 배치되며, 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 음 (negative)의 값을 가지는 제2 감지층;을 포함하여, 상기 제1 감지층 및 상기 제2 감지층의 전기저항 변화를 측정하여 상기 대상물의 온도를 감지하는 온도센서
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청구항 1에 있어서,상기 무기 리간드는 NH4Cl, tetra-n-butyl ammonium bromide (TBAB), 및 NH4SCN으로 구성된 군에서부터 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 온도센서
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청구항 1에 있어서,상기 유기 리간드는3-mercaptopropionic acid (MPA), 및 1,2-ethanedithiol (EDT)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 온도센서
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청구항 1에 있어서,상기 제1 감지층은 지그재그 형태로 배치되되, 일단과 타단이 서로 이격되어 마주보도록 배치되고,상기 제2 감지층은 상기 제1 감지층의 일단과 타탄 사이에 배치되는 온도센서
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청구항 1에 있어서,상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 중성역학층 (Neutral Mechanical Plane, NMP)이 형성되는 온도센서
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6
청구항 5에 있어서,상기 하부기판에 스트레인 (strain)이 가해질 때에, 하기 [수학식 1], 및 하기 [수학식 2]를 연립하여, 상기 대상물의 온도를 감지하는 온도센서
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7
청구항 1에 있어서,상기 하부기판과 상기 상부기판의 두께 비가 1:40 ~ 1:45로 형성되어, 상기 대상물의 스트레인 (strain) 및 상기 대상물의 온도를 동시에 측정하는 온도센서
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8
청구항 7에 있어서,하기 [수학식 1]에 의한 제1 플롯, 및 하기 [수학식 2]에 의한 제2 플롯을 생성하고, 상기 제1 플롯과 상기 제2 플롯의 교점에서 상기 대상물의 스트레인, 및 상기 대상물의 온도가 정해지는 온도센서
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하부기판 상에 포토레지스트를 도포한 후에, 박막 형태의 제1 감지층 및 제2 감지층에 대응되는 패턴으로 노광하고 현상하는 단계;상기 패턴에 은 나노입자를 코팅하여, 은 나노입자 박막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 리프트 오프 (lift off) 하는 단계;상기 제1 감지층에 대응되는 패턴에 코팅된 제1 은 나노입자 박막을 무기 리간드 교환 용액에 담지하여 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 양 (positive)의 값을 가지는 상기 제1 감지층을 형성하고, 상기 제2 감지층에 대응되는 패턴에 코팅된 제2 은 나노입자 박막을 유기 리간드 교환 용액에 담지하여 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 음 (negative)의 값을 가지는 상기 제2 감지층을 형성하는 단계; 및상기 제1 감지층, 및 상기 제2 감지층이 커버되도록, 상기 하부기판 상에 상부기판을 형성하는 단계;를 포함하는 온도센서 제조방법
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10
하부기판 상에 제1 포토레지스트를 도포한 후에, 박막 형태의 제1 감지층에 대응되는 제1 패턴으로 노광하고 현상하는 단계;상기 제1 패턴에 은 나노입자를 코팅하여, 제1 은 나노입자 박막을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트를 리프트 오프 (lift off) 하는 단계;상기 제1 은 나노입자 박막을 무기 리간드 교환 용액에 담지하여, 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 양 (positive)의 값을 가지는 상기 제1 감지층을 형성하는 단계;상기 하부기판 상에 제2 포토레지스트를 도포한 후에, 박막 형태의 제2 감지층에 대응되는 제2 패턴으로 노광하고 현상하는 단계;상기 제2 패턴에 은 나노입자를 코팅하여, 제2 은 나노입자 박막을 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트를 리프트 오프하는 단계;상기 제2 은 나노입자 박막을 유기 리간드 교환 용액에 담지하여, 저항온도계수 (temperature coefficient of resistance, TCR)가 음 (negative)의 값을 가지는 상기 제2 감지층을 형성하는 단계; 및상기 제1 감지층, 및 상기 제2 감지층이 커버되도록, 상기 하부기판 상에 상부기판을 형성하는 단계;를 포함하는 온도센서 제조방법
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청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,상기 하부 기판은 유리기판 상에 배치된 PDMS (Polydimethylsiloxane) 필름 상에 배치되고,상기 상부기판이 형성된 후에, 상기 유리기판 및 상기 PDMS 필름을 제거되는 온도센서 제조방법
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