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기판;상기 기판 상에 배치되고, 금속 나노와이어를 포함하는 열전층;상기 열전층 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극 상에 배치되고, 탄소구조체에 금속 입자가 결합된 복합 구조체를 갖는 촉매층을 포함하되,상기 열전층이 포함하는 상기 금속 나노와이어의 농도는 60 wt% 초과 85 wt% 미만인 가스 센서
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제1 항에 있어서, 상기 촉매층은, 타겟가스와 반응하되, 상기 촉매층과 상기 타겟가스가 반응하여, 상기 촉매층에서 열이 발생되고,발생된 상기 열로 인해, 상기 제1 전극이 배치되는 상기 열전층의 제1 영역과 상기 제2 전극이 배치되는 상기 열전층의 제2 영역은 온도차이가 발생되고, 상기 제1 및 제2 영역의 온도차이에 의해, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이에 전위 차이가 생성되는 것을 포함하는 가스 센서
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제1 항에 있어서, 상기 금속 나노와이어는, 텔루륨(tellurium) 나노와이어, BixTey 나노와이어, BixSey 나노와이어, SbxTey 나노와이어, PbTe1-xSex 나노와이어 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스 센서
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제1 항에 있어서, 상기 촉매층에서, 상기 탄소구조체 및 상기 금속 입자의 wt%는 1:1 인 것을 포함하는 가스 센서
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제5 항에 있어서, 상기 탄소구조체는 그래핀이고, 상기 금속 입자는 백금 입자인 것을 포함하는 가스 센서
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제1 항에 있어서, 상기 탄소구조체 및 상기 금속 입자는 공유결합을 이루는 것을 포함하는 가스 센서
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제1 항에 있어서, 상기 기판의 상부면을 기준으로, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 동일한 레벨(level)에 위치하는 것을 포함하는 가스 센서
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 금속 나노와이어를 포함하는 열전층을 형성하는 단계; 상기 열전층 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 상에 탄소구조체에 금속 입자가 결합된 복합 구조체를 갖는 촉매층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 촉매층을 형성하는 단계는,상기 탄소구조체를 포함하는 혼합 용액을 준비하는 단계;상기 혼합 용액 내의 상기 탄소구조체를 산화시키는 단계;산화된 상기 탄소구조체에 금속 전구체를 제공하는 단계;상기 금속 전구체가 제공된 상기 탄소구조체를 환원하여, 상기 탄소구조체에 상기 금속 입자가 결합된 상기 복합 구조체를 제조하는 단계; 상기 제1 전극 상에 상기 복합 구조체를 제공하는 단계; 및상기 촉매층을 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 열전층을 형성하는 단계는, 상기 금속 나노와이어를 준비하는 단계; 상기 금속 나노와이어를, 고분자를 포함하는 바인더 및 용매와 혼합하여 금속 페이스트를 제조하는 단계; 상기 기판 상에 상기 금속 페이스트를 제공하여 상기 열전층을 형성하는 단계; 및 상기 열전층을 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 열처리에 의해, 상기 열전층 내의 상기 금속 나노와이어의 적어도 일부가 융해 또는 기화되어, 상기 금속 나노와이어가 네트워킹(networking)되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 열전층은, 300℃의 온도에서 50분 초과 70분 미만의 시간 동안 열처리되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 바인더는 PVP를 포함하고, 상기 용매는 DEG 및 DEGBE 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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