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ZnO를 기지로 하되 상기 기지 내에 도펀트로서 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)이 도핑된 투명 전도성 전극을 구비하되,상기 기지는 원자층 증착 공정(ALD)나 화학적 기상증착 공정(CVD)에 의하여 복수의 ZnO 단위막이 적층되어 구성된 것을 특징으로 하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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ZnO를 기지로 하되 상기 기지는 원자층 증착 공정(ALD)나 화학적 기상증착 공정(CVD)에 의하여 제 1 단위막 및 제 2 단위막을 포함하는 복수의 단위막이 적층되어 구성된 투명 전도성 전극이며,상기 기지 내에 도펀트로서 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)이 도핑되되, 상기 도펀트는 상기 복수의 단위막의 적층 경계 영역에 상대적으로 집중되어 도핑되되,상기 복수의 단위막은 상기 제 1 단위막의 적층 경계 영역에는 마그네슘(Mg)이 상대적으로 집중되어 도핑되고, 상기 제 1 단위막 적층 경계 영역에 바로 인접한 상기 제 2 단위막의 적층 경계 영역에는 알루미늄(Al)이 상대적으로 집중되어 도핑되는 구성이 복수회 반복되어 배치되는 구조체인, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 도펀트는 상기 기지 내의 복수의 단위막 적층 경계 영역에 상대적으로 집중되어 도핑된 것을 특징으로 하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 도펀트가 각각의 단위막의 결정 성장을 억제함으로써 상기 기지는 비정질 형태를 가지는 것을 특징으로 하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,각각의 단위막은 핀홀을 가지되, 하나의 단위막은 인접한 다른 하나의 단위막과 핀홀의 위치가 서로 어긋나게 배치되어 핀홀 디커플링(pinhole- decoupling) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는,투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 수분 투습률(water vapor transmission rate)이 10-4 g/m2/day 이하이고, 광학적 투과도가 90% 이상이며, 1mm의 휨(bending)에 대해서도 전도성 변화가 없는 물성을 제공함으로써 별도의 봉지막 없이 소자에 대한 봉지 기능을 수행할 수 있는 봉지막과 전극의 일체형 구조체인 것을 특징으로 하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극에 인접하되, Ag, Au, Cu 또는 Al을 포함하는 전이금속 박막을 더 구비하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 가지며, 상기 전이금속 박막은 3 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극에 인접하되, 그래핀, 메탈메쉬, 금속 나노와이어 및 탄소나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 이차원 나노구조 박막을 더 구비하는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 10 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 가지며, 상기 이차원 나노구조 박막은 1 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 투명 플렉시블 전극 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,폴리머 기판, 섬유 기판 및 직물 기판 중 적어도 하나를 포함하는 유연 기판을 더 구비하되, 상기 투명 전도성 전극은 상기 유연 기판 상에 배치된, 투명 플렉시블 전극 구조체
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