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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체 박막; 및상기 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막은 산화물 용액 및 광촉매 반응 물질이 혼합된 용액에 자외선을 조사한 후 상기 산화물 용액을 분리하여, 상기 분리된 산화물 용액을 상기 형성된 게이트 절연층 상에 코팅하여 형성되며, 열처리를 통하여 상기 형성된 산화물 반도체 박막을 활성화하는 것이며,상기 산화물 용액은 금속전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 자외선은 100nm 내지 400nm 범위의 파장인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 자외선은 5분 내지 60분 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 열처리는 230℃ 내지 280℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 열처리는 30분 내지 3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 용액은 아연 전구체, 갈륨 전구체, 인듐 전구체 또는 주석 전구체 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 용액은 인듐 용액과 아연 용액을 5:1의 비율로 혼합하여 형성된 인듐 징크 옥사이드(IZO) 용액인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 비정질 인듐 갈륨 징크 옥사이드(amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 실리콘 인듐 징크 옥사이드(SIZO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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기판 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 형성된 산화물 반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막은 산화물 용액 및 광촉매 반응 물질이 혼합된 용액에 자외선을 조사한 후 상기 산화물 용액을 분리하여, 상기 분리된 산화물 용액을 상기 형성된 게이트 절연층 상에 코팅하여 형성되며, 열처리를 통하여 상기 형성된 산화물 반도체 박막을 활성화하는 것이며,상기 산화물 용액은 금속전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;열처리를 통하여 상기 형성된 산화물 반도체 박막을 활성화하는 단계;및상기 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계는,산화물 용액 및 광촉매 반응 물질이 혼합된 용액을 준비하고, 상기 혼합된 용액에 자외선을 조사하는 단계; 및상기 자외선이 조사된 혼합된 용액에서 상기 산화물 용액을 분리하여, 상기 분리된 산화물 용액을 상기 형성된 게이트 절연층 상에 코팅하여 상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화물 용액은 금속전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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