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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 반도체 박막을 형성하는 단계; 및상기 반도체 박막 상에 서로 이격되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반도체 박막을 형성하는 단계는,산화물 반도체 타겟 및 폴리머 타겟을 이용한 코-스퍼터링(co-sputtering) 방법으로 상기 반도체 박막이 형성하여 상기 반도체 박막의 소수성을 개선하는 것이며,상기 산화물 반도체 타겟 및 폴리머 타겟은 각각 서로 다른 파워가 인가되며,상기 폴리머 타겟의 파워는 10W 내지 40W인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 타겟의 파워는 0W 내지 200W인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머 타겟의 파워는 10W 내지 30W인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 박막을 형성하는 단계는,상기 반도체 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 열처리의 온도는 250℃ 내지 350℃인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 타겟은 인듐 갈륨 징크 옥사이드(indium-gallium-zinc oxide, IGZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(ITZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 옥사이드(InO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 갈륨 옥사이드(IGO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 실리콘 인듐 징크 옥사이드(SIZO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머 타겟은 폴리테트라 플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene; PTFE), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone; PVP], 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에테르이미드(Poly ether imide; PEI) 및 폴리메타크릴산 메틸 (poly(methylmethacrylate); PMMA) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항, 제3항 내지 제8항 중 적어도 어느 한 항의 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법으로 제조된 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 소수성(hydrophobic)인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 반도체 박막의 수접촉각은 77
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