| 1 |
1
챔버 내에 베이스 기판이 준비되는 단계;전이금속 및 리간드가 배위 결합된 전구체가 준비되는 단계;상기 베이스 기판 상에 상기 전구체를 제공하는 단계 및 상기 챔버를 퍼지하는 단계를 복수회 반복 수행하여, 상기 베이스 기판 상에 상기 전구체의 적어도 일부가 열분해되어 흡착된 예비 박막을 형성하는 단계; 및칼코겐(Chalcogen) 원소를 포함한 가스 분위기에서, 상기 예비 박막을 열처리하여, 전이금속-디칼코게나이드(Transition metal dichalcogenide) 박막이 제조되는 단계를 포함하되,상기 전이금속과 상기 리간드의 결합력에 따라서, 상기 예비 박막을 형성하는 단계에서 상기 베이스 기판의 온도를 제어하는 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 전이금속과 상기 리간드의 결합력이 높을수록, 상기 예비 박막을 형성하는 단계에서 상기 베이스 기판의 온도를 증가시키는 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 예비 박막은 상기 베이스 기판의 전면을 완벽하게 덮는 것을 포함하고, 상기 예비 박막의 적어도 일부분은, 상기 전구체가 적층된 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 전구체가 적층된 상기 예비 박막의 상기 적어도 일부분은, 제1 부분, 및 상기 제1 부분 상의 제2 부분을 포함하되,상기 제2 부분의 상기 전구체는 열 분해되어, 상기 제1 부분의 상기 전구체 상에 흡착된 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 전이금속-디칼코게나이드 박막은 화학식 MX2로 표기되며, 상기 M은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Pd, Hf, Ta, W, Re, 및 Pt로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하고, 상기 X는 S, Se, 및 Te로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 예비 박막을 형성하는 단계와, 상기 전이금속-디칼코게나이드 박막이 제조되는 단계는, 서로 독립된 챔버에서 수행되는 단계인 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 예비 박막을 제조한 이후에, 상기 예비 박막을 형성하는 단계의 챔버에 칼코겐 원소를 포함한 가스 분위기가 제공되는 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 11 |
11
제1 항에 있어서,상기 전이금속-디칼코게나이드 박막은 단층(monolayer)으로 제조되는 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1 항에 있어서,상기 전이금속-디칼코게나이드 박막은, MOS2인 것을 포함하는 전이금속-디칼코게나이드 박막의 제조 방법
|
