| 1 |
1
비-페로브스카이트 구조의 결정성 할로겐화물을 함유하는 표면 코팅층을 포함하는 금속산화물계 전자전달체;상기 표면 코팅층이 형성된 전자전달체의 상부에 위치하는 페로브스카이트계 화합물인 광흡수체; 및상기 광흡수체 상부에 위치하는 정공전달체;를 포함하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 Cu Kα선을 이용한 X-선 회절 패턴에서, 회절각 2θ가 4 내지 6°인 영역 및 9 내지 10°인 영역 각각에 회절 피크가 존재하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 적어도, 양이온으로 2가 금속 이온과 알킬 암모늄 이온 및 음이온으로 할로겐 이온을 함유하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물의 2가 금속 이온 : 알킬 암모늄 이온의 몰비는 1 : 0
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염;간의 반응 생성물인 페로브스카이트계 태양전지
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 각각 메틸인 페로브스카이트계 태양전지
|
| 7 |
7
제 5항에 있어서,상기 금속할로겐화물은 하기 화학식 2를 만족하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 표면 코팅층의 두께는 1 nm 내지 20 nm인 페로브스카이트계 태양전지
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 광촉매능을 갖는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 타이타늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,상기 전자전달체 하부에 위치하는 제1 전극 및 상기 정공전달체 상부에 위치하는 제2 전극을 더 포함하는 페로브스카이트계 태양전지
|
| 12 |
12
페로브스카이트계 태양전지용 전자전달체로,비-페로브스카이트 구조의 결정성 할로겐화물을 함유하는 표면 코팅층을 포함하는 금속산화물계 전자전달체
|
| 13 |
13
화학식 2를 만족하는 금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염;간의 반응 생성물이며, Cu Kα선을 이용한 X-선 회절 패턴에서, 회절각 2θ가 4 내지 6°인 영역 및 9 내지 10°인 영역 각각에 회절 피크가 존재하며 비-페로브스카이트 구조인 결정성 할로겐화물
|
| 14 |
14
금속산화물 구조체에 금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염을 함유하는 반응 용액을 도포한 후 열처리하는 단계;를 포함하는 제 1항에 따른 페로브스카이트계 태양전지의 제조방법
|
| 15 |
15
제 14항에 있어서,상기 반응 용액의 금속할로겐화물 : 4차암모늄염의 몰비는 1 : 0
|
| 16 |
16
제 14항에 있어서,상기 반응 용액의 금속할로겐화물 농도는 0
|
| 17 |
17
제 14항에 있어서,상기 열처리는 80 내지 200℃의 온도에서 수행되는 페로브스카이트계 태양전지의 제조방법
|
