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태양전지용 웨이퍼 구조체로서, 초박형 웨이퍼; 및광 흡수를 증가시키기 위해 상기 초박형 웨이퍼의 표면에 주기적으로 배치된 복수의 나노구조체를 포함하되, 상기 나노구조체는 디스크의 형상을 가지며,상기 디스크는 종횡비가 1 이하인 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 30 % 이상 70 % 이하의 충전율로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노구조체는 500 nm 이상의 주기로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 3 항에 있어서,상기 나노구조체는 500 nm 이상 1000 nm 이하의 주기로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노구조체의 높이는 0 초과 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 5 항에 있어서,상기 나노구조체의 높이는 100 nm 이상 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노구조체는,상기 초박형 웨이퍼의 제1 면에 주기적으로 배치된 복수의 제1 나노구조체; 및상기 초박형 웨이퍼에서 상기 제1 면과 상이한 제2 면에 주기적으로 배치된 복수의 제2 나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 7 항에 있어서,상기 제2 나노구조체의 주기는 상기 제1 나노구조체의 주기보다 긴 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 제2 나노구조체는 500 nm 이상 1600 nm 이하의 주기로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체가 배치된 상기 초박형 웨이퍼의 표면 상에 위치하는 무반사 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 10 항에 있어서,상기 무반사 코팅층은 SiNx 또는 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 2차원 단순입방구조 또는 2차원 육방조밀구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체
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초박형 웨이퍼의 표면에 에치 마스크 또는 금속 촉매 박막을 형성하는 단계;상기 에치 마스크 또는 금속 촉매 박막이 형성된 상기 초박형 웨이퍼를 에칭함으로써, 상기 초박형 웨이퍼의 표면에 주기적으로 배치된 복수의 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 에치 마스크 또는 금속 촉매 박막을 제거하는 단계;를 포함하되,나노리소그라피(nanolithography)를 이용하며,상기 나노구조체는 디스크의 형상을 가지며,상기 디스크는 종횡비가 1 이하인 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 초박형 웨이퍼의 표면에 에치 마스크 또는 금속 촉매 박막을 형성하는 단계는 나노임프린팅(nanoimprinting), 나노스피어 리소그라피(nanosphere lithography) 또는 레이저 간섭 리소그라피를 이용하여 상기 에치 마스크 또는 금속 촉매 박막을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 초박형 웨이퍼의 표면에 주기적으로 배치된 복수의 나노구조체를 형성하는 단계는, 상기 초박형 웨이퍼의 제1 면에 주기적으로 배치된 복수의 제1 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 초박형 웨이퍼에서 상기 제1 면과 상이한 제2 면에 주기적으로 배치된 복수의 제2 나노구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 복수의 나노구조체가 형성된 초박형 웨이퍼의 표면에 무반사 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 복수의 나노구조체는 30 % 이상 70 % 이하의 충전율로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 복수의 나노구조체는 500 nm 이상의 주기로 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제 13 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 복수의 나노구조체는 0 초과 200 nm 이하의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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