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기판;상기 기판 상부에 형성되고, CuICl 또는 CuBrCl을 포함하는 할로겐화구리(CuHa) 채널층;상기 할로겐화구리 채널층 상부에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 일측에 위치하도록 상기 할로겐화구리 채널층에 형성되고, n형 불순물을 포함하는 제1 n+ 할로겐화구리층;상기 제1 n+할로겐화구리층 상부에 형성된 드레인 전극;상기 게이트 전극의 타측에 위치하도록 상기 할로겐화구리 채널층에 형성되고, n형 불순물을 포함하는 제2 n+ 할로겐화구리층; 및상기 제2 n+ 할로겐화구리층 상부에 형성된 소오스 전극;을 포함하고,상기 채널층과 상기 기판 사이에, CuCl을 포함하는 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제1 항에 있어서,상기 할로겐화구리 채널층은 p형 불순물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제2 항에 있어서,상기 p형 불순물은 산소(O), 황(S), 셀레늄(Se) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제1 항에 있어서,상기 n형 불순물은 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 갈륨비소 기판, 글래스 기판, 쿼츠기판, 알루미나기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제1 항에 있어서,상기 기판 및 상기 할로겐화구리 채널층 사이에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제8 항에 있어서,상기 버퍼층은 CuCl을 포함하는 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제1 항에 있어서,상기 절연층은 실리콘옥사이드(SiO2) 또는 실리콘나이트라이드(SiN)를 포함하는 것을 특징으로 하는 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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기판;상기 기판 상부에 형성되고, n형 불순물을 포함하는 CuICl 또는 CuBrCl을 포함하는 할로겐화구리(CuHa) 채널층;상기 할로겐화구리 채널층 상부에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 일측에 위치하도록 상기 할로겐화구리 채널층에 형성되고, p형 불순물을 포함하는 제1 p+ 할로겐화구리층;상기 제1 p+할로겐화구리층 상부에 형성된 드레인 전극;상기 게이트 전극의 타측에 위치하도록 상기 할로겐화구리 채널층에 형성되고, p형 불순물을 포함하는 제2 p+ 할로겐화구리층; 및상기 제2 p+ 할로겐화구리층 상부에 형성된 소오스 전극;을 포함하고,상기 채널층과 상기 기판 사이에, CuCl을 포함하는 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자
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제11 항에 있어서,상기 p형 불순물은 산소(O), 황(S), 셀레늄(Se) 중 어느 하나이고
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전하를 충전 또는 방전함으로써 온/오프를 표시하기 위한 캐패시터; 및상기 캐패시터를 제어하기 위한 스위칭 소자를 포함하고,상기 스위칭 소자는 제1 항 내지 제5항, 제8항 내지 12항 중, 어느 한 항에 의한 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자로 구현되는 것을 특징으로 하는 기억소자
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다수의 스위칭 소자로 구현되고,상기 스위칭 소자중 적어도 하나는, 제1 항 내지 제5항, 제8항 내지 12항 중, 어느 한 항에 의한 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자로 구현되는 것을 특징으로 하는 논리소자
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