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열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수 측정방법

  • 기술번호 : KST2019011128
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수 측정에 대한 것으로, 보다 상세하게는 기존 하만법에서 발생하는 도선에서의 열 손실, 재료 자체 발열에 의한 오차를 보정하는 방법을 제공하는 데에 목적이 있다. 해당의 오차 보정 방법은 열전 반도체의 성능과 물성을 다양한 온도에서 보다 정확하게 평가하는 데 용이하게 응용될 수 있고, 정확한 열전 반도체의 물성 평가는 열전 소자 설계에 유용하게 쓰일 수 있다는 효과가 있다.
Int. CL G01N 25/18 (2006.01.01) G01N 25/48 (2006.01.01) G01K 7/01 (2006.01.01)
CPC G01N 25/18(2013.01) G01N 25/18(2013.01) G01N 25/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160151113 (2016.11.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1848012-0000 (2018.04.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권범진 대한민국 서울특별시 성북구
2 김진상 대한민국 서울특별시 성북구
3 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
4 김성근 대한민국 서울특별시 성북구
5 최지원 대한민국 서울특별시 성북구
6 강종윤 대한민국 서울특별시 성북구
7 노임준 대한민국 서울특별시 성북구
8 강민수 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1109409-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0018307-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0685043-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1118116-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1118115-44
7 등록결정서
Decision to grant
2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0215728-77
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번호 청구항
1 1
하만법(Harman method)을 이용하여 열전소재의 AC전압(Vac), 전기저항(R), 비저항(ρ), DC전압(Vdc), 열전 성능지수(ZT) 및 열전도도(k)를 측정하되, 서로 크기가 다른 시료로 최소 4번 이상 시행하는 1차 데이터 측정단계;상기 1차 데이터 측정과 별도로 열전소재의 제백계수(αt)를 측정하는 제백계수 측정단계;상기 1차 데이터 측정단계에서 측정한 DC전압(Vdc)을 이용하여 열전소재 양단의 온도차(△T)를 하기의 식 1을 적용하여 계산하는 온도차 계산단계;003c#식 1003e#하기의 식 2를 적용하여 하만법에서 측정될 Z값을 계산하는 Z값 계산단계;003c#식 2003e#(단, 상기 식 2에서 α는 제백계수(Seebeck coefficient), k는 열전도도(Thermal conductivity), Kw는 도선의 열전도성(Effective thermal conductance of wires), ρ는 전기 비저항(Electrical resistivity), I는 전류의 세기(Current amplitude), L은 열전소재의 길이(Sample length), A는 열전소재의 단면적(Sample cross-section area), △T는 열전 소재 양단의 온도차(Temperature difference across the sample)이며, 아래 첨자 t는 열전 소재 샘플이고, 아래첨자 w는 도선이다
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 1차 데이터 측정단계는 열전 소재에 AC전류를 가하여 AC전압(Vac), 전기저항(R), 비저항(ρ)을 측정하는 단계 및 열전 소재에 DC전류를 가하여 DC전압(Vdc), 열전성능지수(ZT), 열전도도(kt)를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수의 측정방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 1차 데이터 측정단계는 DC전류를 가한 후 DC전압(Vdc)이 안정화된 이후에 DC전압, 열전성능지수(ZT), 열전도도(k)를 측정하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수의 측정방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 kt 및 Kw값을 결정하는 단계는 하기 식 3의 최소자승법을 이용하여 오차가 최소가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열 전성능지수의 측정방법:003c#식 3003e#상기 식 3에서 Z1은 다른 규격의 시료에서 측정한 성능지수 값이고, Z2는 임의의 시료의 열전도도(kt)와 도선의 열전도성(Kw)으로 계산한 성능지수 값이다
6 6
청구항 1에 있어서,상기 성능지수 결정단계는 보정된 열전소재의 성능지수(Z)가 하기의 식 4에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수의 측정방법:003c#식 4003e#
7 7
청구항 1에 있어서,상기 1차 데이터 측정단계에서 측정된 열전성능지수(Zc)와 실제 열전소재의 열전 성능지수(Zi)는 하기의 식 5를 만족하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수의 측정방법:003c#식 5003e#
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청구항 1에 있어서,하만법의 보정계수는 하기 식 6으로 표현되는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수의 측정방법:003c#식 6003e#
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 창의형 융합연구사업 (CAP) Wearable Device용 열전발전 시스템 기술 개발