1 |
1
태양광이 입사되어 집광되는 집광층;상기 집광층의 하부에 적층되도록 위치하는 클래딩(cladding)층;상기 클래딩층의 하부에 적층되도록 위치하여 가시광을 측면으로 도광(light guide)하는 광도파층과, 자외선 또는 적외선을 가시광으로 변환하는 광변환부재를 포함하는 광변환/광도파층; 및상기 광변환/광도파층의 측면을 따라 배치되고, 전기적으로 연결된 복수의 태양전지 셀을 구비한 태양전지 셀 어레이;를 포함하고,상기 광변환부재는,자외선을 가시광으로 변환하는 제1 광변환부재; 및 적외선을 가시광으로 변환하는 제2 광변환부재;를 포함하고,상기 제1 광변환 부재는 상기 광도파층의 상부, 중간 또는 하부에 위치하고,자외선을 가시광으로 변환하는 다운컨버젼 재료를 포함하는 광변환층; 및상기 광변환층 하부에 적층되거나 또는 이격되도록 위치하는 반사층;을 포함하고,상기 다운컨버젼 재료는 집광되는 영역에 코팅되며,상기 제2 광변환부재는 상기 광도파층의 측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 집광층은 볼록렌즈, 오목렌즈 및 프레넬 렌즈 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 클래딩층은 굴절률(n)이 1
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 광변환층은 초점면(focal plane)에 위치하거나, 또는 초점면을 벗어나 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 반사층은 평면구조 또는 경사구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 다운컨버젼 재료는 양자점(quantum dot), 형광체 및 자외선 변환 염료 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 양자점은 CdZnS/ZnS, CdS, CdSe, CdSe/ZnS, PbS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb 및 SiC 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
10 |
10
제8항에 있어서,상기 형광체는 β-NaYF4:Yb3+/Er3+, Y3Al5O12:Ce, Y2SiO5:Ce3+, Sr2SiO4:Eu2+, Sr3SiO5:Eu2+, BaMaAl10O17:Eu2+, Y2O3:Eu3+, Y2O2S:Eu3+, Y2O3:Eu3+,Bi3+, CaMgSi2O7:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+,Ca-a-SiAlON:Eu2+, BaSi2O2N2:Eu2+, 및 CaGa2S4:Eu2+ 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
11 |
11
삭제
|
12 |
12
제1항에 있어서,상기 제2 광변환부재는 업컨버젼(upconversion) 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
13 |
13
제12항에 있어서,상기 업컨버젼(upconversion) 재료는 이터븀(Yb), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이트륨(Y) 또는 이들을 포함하는 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 패널
|
14 |
14
제1항 내지 제3항, 제6항 내지 제10항, 제12항 및 제13항 중에서 선택된 어느 한 항의 태양전지 패널; 및상기 태양전지 패널의 테두리를 따라 결합되는 프레임;을 포함하는 태양전지 패널을 포함하는 창호
|
15 |
15
제14항에 있어서,상기 태양전지 셀 어레이는 상기 프레임 상에 배치되고, 상기 프레임은 태양전지 패널의 적어도 하나의 측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지 패널을 포함하는 창호
|
16 |
16
제14항에 있어서,상기 하나의 프레임에 배치된 태양전지 셀 어레이는 직렬, 병렬, 직렬/병렬 혼합구조로 어레이된 것을 특징으로 하는 태양전지 패널을 포함하는 창호
|
17 |
17
제14항에 있어서,상기 프레임은 직렬, 병렬, 직렬/병렬 혼합구조로 어레이된 것을 특징으로 하는 태양전지 패널을 포함하는 창호
|