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두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019013714
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터에 관한 것으로, 반도체층이 포함된 박막트랜지스터에 있어서, 게이트 절연층과 접한 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브로 이루어진 제1반도체층 및 소스/드레인 전극과 접하여 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브로 이루어진 제2반도체층을 포함하되, 상기 제1반도체층의 탄소나노튜브는 고순도 반도체성으로 이루어져 있으며, 상기 제2반도체층의 탄소나노튜브는 금속성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020170181813 (2017.12.28)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0079819 (2019.07.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용영 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1301842-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0032375-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0493799-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0924027-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1031307-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1152066-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-1268770-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1268736-85
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2020.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0248948-25
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0576037-60
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0576005-10
14 등록결정서
Decision to grant
2020.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0648341-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층이 포함된 박막트랜지스터에 있어서,게이트 절연층과 접한 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브로 이루어진 제1반도체층 및 소스/드레인 전극과 접하여 공액고분자로 랩핑된 탄소나노튜브로 이루어지며, 상기 제1반도체층 상에 배치된 제2반도체층을 포함하되,상기 제1반도체층의 탄소나노튜브는 고순도 반도체성으로 이루어져 있으며,상기 제2반도체층의 탄소나노튜브는 제1반도체층과 비교하여 저순도 반도체성으로 이루어지고,상기 제1반도체층의 반도체성 탄소나노튜브와 제2반도체층의 반도체성 탄소나노튜브의 비율은 상이하고,상기 제1반도체층의 반도체성 탄소나노튜브는 전체 탄소나노튜브 중 99
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,제1반도체층에 사용된 탄소나노튜브의 지름은 0
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제1항에 있어서,상기 제1반도체층의 제조는 용매에 공액고분자와 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하는 혼합단계;혼합된 용액을 초음파 처리하는 초음파처리단계; 및원심분리기로 분리하여 부유용액을 취하는 분리단계로 제조되는 것을 특징으로 하는두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터
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8 8
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9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 동국대학교 글로벌프론티어지원 모바일 헬스케어용 인쇄형 센서 및 회로 개발
2 산업통상자원부 고려대학교 세종산학협력단 소재부품산업미래성장동력 스트레처블 디스플레이를 위한 20%이상 신축성을 갖는 백플레인, 발광화소용 소재,소자,공정 원천 기술 개발