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반도체소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019019545
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 기판; 기판 상에 형성되며, 양극성(ambipolar) 전도특성을 갖는 반도체 층; 기판 상에 형성되며, 반도체 층과 이종접합된 반금속(semi-metal) 물질층; 반도체 층의 일측 단부에 결합된 제 1 전극; 및 반금속 물질층의 일측 단부에 결합된 제 2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 21/8238 (2006.01.01) H01L 29/737 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/43 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01)
CPC H01L 21/8238(2013.01) H01L 21/8238(2013.01) H01L 21/8238(2013.01) H01L 21/8238(2013.01) H01L 21/8238(2013.01)
출원번호/일자 1020180039526 (2018.04.05)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2102252-0000 (2020.04.13)
공개번호/일자 10-2019-0116637 (2019.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20200420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진홍 경기도 화성
2 심재우 경기도 부천시 원미구
3 장성운 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)
3 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0338005-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0794916-87
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0163909-79
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0066759-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0443955-06
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0854738-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0854739-22
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0936756-46
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0210654-37
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0210655-83
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0258710-56
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번호 청구항
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반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성되며, 양극성(ambipolar) 전도특성을 갖는 반도체 층;상기 반도체층 상에 형성되며, 상기 반도체 층과 이종접합된 반금속(semi-metal) 물질층;상기 반도체 층의 양측 단부에 각각 결합된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 반금속 물질층의 일측 단부에 결합된 제 3 전극,상기 반도체 층의 상부면에서 상기 반금속 물질층, 제 1 전극 및 제 2 전극을 제외한 영역에 적층된 게이트 절연막 및상기 게이트 절연막의 상부에 형성된 게이트 전극을 포함하되,상기 반금속 물질층은 전하 밀도가 임계값 이하로 낮은 그래핀, 팔면체 구조(octahedral structure)를 갖는 물질, 뒤틀린 팔면체 구조(distorted octahedral structure)를 갖는 물질 또는 전도성을 갖는 고분자물질로 이루어진 것인 반도체 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 양극성 전도특성을 갖는 반도체 층은 n형 전도 특성과 p형 전도 특성을 모두 갖는 물질로서 산화물반도체, 유기물반도체, 전이금속칼코겐화합물, 실리콘 나노와이어 또는 탄소나노튜브로 이루어진 것인 반도체 소자
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제 4 항에 있어서,상기 반도체 소자는 인버터 소자로서 동작하되,상기 제 1 전극은 전원 전압이 인가되고, 제 2 전극은 접지 전압이 인가되고, 상기 게이트 전극은 입력 전압이 인가되고, 상기 제 3 전극은 출력 전압이 출력되는 반도체 소자
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반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 양극성(ambipolar) 전도특성을 갖는 반도체 층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상의 중앙 영역에 상기 반도체 층과 이종접합되도록 반금속(semi-metal) 물질층을 형성하는 단계;상기 반도체 층의 양측 단부에 각각 결합되는 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 상기 반금속 물질층의 일측 단부에 결합되는 제 3 전극을 형성하는 단계;상기 반도체 층의 상부면에서 상기 반금속 물질층, 제 1 전극 및 제 2 전극을 제외한 영역에 게이트 절연막을 적층하는 단계 및상기 게이트 절연막의 상부에 결합되는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반금속 물질층은 전하 밀도가 임계값 이하로 낮은 그래핀, 팔면체 구조(octahedral structure)를 갖는 물질, 뒤틀린 팔면체 구조(distorted octahedral structure)를 갖는 물질 또는 전도성을 갖는 고분자물질로 이루어진 것인 반도체 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 양극성 전도특성을 갖는 반도체 층은 n형 전도 특성과 p형 전도 특성을 모두 갖는 물질로서 산화물반도체, 유기물반도체, 전이금속칼코겐화합물, 실리콘 나노와이어 또는 탄소나노튜브로 이루어진 것인 반도체 소자의 제조 방법
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1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 기초연구실지원사업 비선형 부성저항 특성 기반 한계극복 ICT정보처리 소자 개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 나노·소재기술개발 (선행공정·플랫폼기술연구개발사업) M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발