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3차원 전극장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019019670
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 전극장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 망막에 손상을 가하지 않고 망막에 밀착하여 망막에 전기적 자극을 가할 수 있는 3차원 전극장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성은 3차원 전극장치에 있어서, 안구 내 광수용체층(photoreceptor)에 삽입되도록 마련되며, 투명 물질로 이루어진 기판부; 및 상기 기판부에 형성되며, 상기 망막을 자극하도록 마련된 복수의 전극부를 포함하며, 상기 기판부는 상기 망막 및 상기 광수용체층의 형상에 대응하여 변형되도록 마련되어, 상기 전극부를 상기 망막에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치를 제공한다.
Int. CL A61N 1/05 (2006.01.01) A61N 1/36 (2006.01.01) A61B 5/04 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/06 (2006.01.01)
CPC A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01)
출원번호/일자 1020180039956 (2018.04.05)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-2141048-0000 (2020.07.29)
공개번호/일자 10-2019-0116848 (2019.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20200806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.05)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김소희 대구광역시 수성구
2 서희원 경기도 부천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0341744-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0003461-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0048350-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0215734-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0215702-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0737824-63
10 등록결정서
Decision to grant
2020.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0507730-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 웨이퍼상에 금속층을 증착시키고, 상기 금속층을 기설정된 형상으로 패터닝하는 단계;b) 상기 웨이퍼에 가공홀을 형성하는 단계;c) 상기 가공홀에 기판부를 형성하는 단계; d) 상기 웨이퍼를 절삭하여 전극부를 형성하는 단계;e) 망막과 접하는 상기 전극부의 단부에 증착층을 형성하는 단계; 및f) 상기 증착층의 표면을 제외한 상기 전극부 및 상기 기판부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 기판부는 상기 망막 및 광수용체층의 형상에 대응하여 변형되도록 마련되어, 상기 전극부를 상기 망막에 밀착시키고,상기 d) 단계는,d1) 상기 웨이퍼를 절삭하여 전극기둥을 형성하는 단계; 및d2) 상기 전극기둥에 대한 화학적 식각 공정을 수행하여 상기 전극부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 a) 단계에서,상기 웨이퍼는 실리콘으로 이루어지고, 상기 금속층은 금(Au)과 티타늄(Ti) 또는 상기 금과 크롬(Cr)으로 이루어지며,상기 티타늄 및 상기 크롬은 상기 금과 상기 실리콘으로 이루어진 상기 웨이퍼 사이의 접촉을 강화시키는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 b) 단계는,b1) 상기 금속층상에 감광액(Photoresist)으로 이루어진 감광마스크층을 형성하는 단계;b2) 상기 웨이퍼에 딥 반응성 이온 에칭(Deep reactive ion etching) 공정을 수행하는 단계; 및b3) 상기 감광마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 c) 단계는,c1) 상기 금속층상에 커버를 덮는 단계;c2) 상기 가공홀에 투명 물질을 채우는 단계; 및c3) 상기 투명 물질이 경화되어 기판부를 형성하면 상기 커버를 제거하는 단계를 포함하며,상기 커버는 상기 기판부와 상기 금속층의 표면이 일직선상에 위치되도록 하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 투명 물질은 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 패럴린(Parylene)을 포함하는 폴리머(Polymer)인 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 d1) 단계에서,상기 웨이퍼는 딥 반응성 이온 에칭 공정 또는 다이싱(Dicing) 공정을 통해 절삭되어 상기 전극기둥을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 d2) 단계에서,상기 전극기둥은 등방성 습식 식각(Isotropic wet etching) 공정을 통해 절삭되어 상기 전극부를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 e) 단계에서,상기 증착층은 상기 전극부의 단부에 백금(Pt) 또는 이리듐옥사이드(IrOx)를 포함하는 금속 박막을 증착하여 형성되며,상기 증착층은 상기 전극부의 임피던스를 낮추는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 f) 단계는,f1) 상기 기판부 및 상기 전극부를 회로부의 상부에 결합시키는 단계;f2) 상기 기판부, 상기 전극부 및 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계; 및f3) 상기 증착층의 외측면에 형성된 절연층을 제거하여 상기 증착층을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 f1) 단계에서,상기 전극부는 상기 회로부에 형성된 광다이오드부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 절연층은,상기 기판부, 상기 전극부 및 회로부의 외측면을 패럴린(Parylene)을 포함하는 폴리머(Polymer) 물질로 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 f) 단계는,f1) 상기 기판부 및 상기 전극부를 회로부의 상부에 결합시키고, 절연보조부를 준비하는 단계;f2) 상기 증착층을 상기 절연보조부에 삽입하는 단계;f3) 상기 절연보조부, 상기 기판부, 상기 전극부 및 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계; 및f4) 상기 절연보조부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 f1) 단계에서, 상기 절연보조부는, 감광액으로 이루어진 감광층을 포함하고,상기 f2) 단계에서, 상기 증착층은 상기 감광층에 삽입되는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 f) 단계는,f1) 상기 기판부 및 상기 전극부를 보조패드부의 상부에 결합시키는 단계;f2) 절연보조부를 준비하는 단계f3) 상기 증착층을 상기 절연보조부에 삽입하고, 상기 절연보조부, 상기 기판부, 상기 전극부 및 상기 보조패드부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계;f4) 상기 절연보조부 및 상기 보조패드부를 제거하고, 상기 기판부 및 상기 전극부의 하부에 회로부를 결합시키는 단계; 및f5) 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 f5) 단계는,f51) 상기 절연보조부의 하면과 상기 기판부의 상면이 접하도록 상기 절연보조부에 상기 전극부를 삽입시키는 단계;f52) 상기 절연보조부, 상기 기판부, 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계; 및f53) 상기 절연보조부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
16 16
제 1 항에 있어서,상기 f) 단계는,f1) 상기 기판부 및 상기 전극부를 보조패드부의 상부에 결합시키는 단계;f2) 상기 기판부, 상기 전극부 및 상기 보조패드부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계;f3) 상기 증착층의 외측면에 형성된 절연층을 제거하여 상기 증착층을 노출시키는 단계;f4) 상기 보조패드부를 제거하고, 상기 기판부 및 상기 전극부를 회로부의 상부에 결합시키는 단계; 및f5) 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 f5) 단계는,F51) 절연보조부의 하면과 상기 기판부의 상면이 접하도록 상기 절연보조부에 상기 전극부를 삽입시키는 단계;F52) 상기 절연보조부, 상기 기판부, 상기 회로부의 외측면에 절연층을 형성하는 단계; 및F53) 상기 절연보조부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치의 제조방법
18 18
청구항 제 1 항에 따른 3차원 전극장치의 제조방법에 의해 제조된 3차원 전극장치에 있어서,안구 내 광수용체층(photoreceptor)에 삽입되도록 마련되며, 투명 물질로 이루어진 기판부; 및상기 기판부에 형성되며, 망막을 자극하도록 마련된 복수의 전극부를 포함하며,상기 기판부는 상기 망막 및 상기 광수용체층의 형상에 대응하여 변형되도록 마련되어, 상기 전극부를 상기 망막에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치
19 19
제 18 항에 있어서,상기 전극부는,상기 망막과 접하는 면이 곡면 또는 평면으로 형성되어 상기 전극부가 상기 망막에 밀착되었을 때, 상기 망막에 손상이 생기는 것을 방지하도록 마련된 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치
20 20
제 18 항에 있어서,상기 전극부는,상기 기판부에 격자구조, 육각구조로 배열되거나, 각 행 또는 열이 상호 엇갈려 배열되도록 마련된 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치
21 21
제 18 항에 있어서,상기 기판부의 하부에 더 결합되도록 마련되는 회로부; 및상기 회로부의 상측 및 상기 전극부의 일측에 마련되며, 상기 전극부와 연결되는 광다이오드부를 더 포함하며,상기 광다이오드부는, 상기 기판부를 통과하여 입사된 빛에너지를 전기에너지로 변환함으로써, 상기 전극부가 상기 망막을 자극하도록 하거나, 상기 전극부가 상기 망막으로부터 전기신호를 측정하도록 하는 것을 특징으로 하는 3차원 전극장치
22 22
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1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 (1차) 고밀도 망막 자극 전극 기술 개발 (1차) 고밀도 망막 자극 전극 기술 개발