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지지 기판을 제공하는 단계,상기 지지 기판 위에 상기 지지 기판과 에피택시 관계를 가지는 결정층을 제공하는 단계,상기 결정층 위에 1층의 그래핀층을 제공하는 단계,상기 그래핀층 위에 상기 결정층의 결정 방향과 동일한 결정 방향을 가지는 구조물을 제공하는 단계,상기 그래핀층을 상기 지지 기판으로부터 제거하는 단계 그리고상기 그래핀층을 유연한 기판 위에 위치하도록 전사하는 단계,를 포함하고,상기 결정층을 제공하는 단계에서, 상기 결정층은 AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, InAs, InAsP, InGaAs, InP, MgO, CdO, SiO2 또는 Si를 포함하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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제1항에서,상기 그래핀층을 제공하는 단계는 상기 지지 기판과 반 데르 발스(van der Waals, vdW) 힘으로 결합된 그래핀층을 제공하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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제3항에서,상기 구조물을 제공하는 단계는 박막(Thin Film) 구조물을 제공하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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제3항에서,상기 구조물을 제공하는 단계는 상기 그래핀층과 교차하는 방향으로 뻗는 와이어 구조물을 제공하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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제3항에서,상기 구조물을 제공하는 단계는 상기 그래핀층과 수평인 방향으로 뻗는 와이어 구조물을 제공하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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제1항에서,상기 결정층을 제공하는 단계는 스퍼터링(Sputtering), 스핀 코팅(Spin coating), 유기금속 화학기상증착법(Metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 또는 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE) 단계를 포함하는 에피택시 구조체의 제조 방법
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지지 기판,상기 지지 기판 위에 위치하고, 상기 지지 기판과 에피택시 관계를 가지는 결정층,상기 결정층 위에 위치하는 1층의 그래핀층 그리고상기 그래핀층 위에 위치하는 구조물을 포함하고,상기 구조물은 상기 결정층의 결정 방향과 동일한 결정 방향을 가지며,상기 결정층은 AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, InAs, InAsP, InGaAs, InP, MgO, CdO, SiO2 또는 Si를 포함하는 에피택시 구조체
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제11항에서,상기 그래핀층은 상기 지지 기판과 반 데르 발스(van der Waals, vdW) 힘으로 결합된 에피택시 구조체
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제13항에서,상기 구조물은 박막(Thin Film) 구조물인 가지는 에피택시 구조체
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제13항에서,상기 구조물은 상기 그래핀층과 교차하는 방향으로 뻗는 와이어 구조물인 에피택시 구조체
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제13항에서,상기 구조물은 상기 그래핀층과 수평인 방향으로 뻗는 와이어 구조물인 에피택시 구조체
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