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실리콘 박막을 준비하는 제 1 단계; 및상기 실리콘 박막에 질소를 이온주입하고 열처리하여 상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 질화막을 형성함으로써 펠리클 박막을 구현하는 제 2 단계; 를 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온주입하는 질소의 주입량을 조절함으로써 상기 펠리클 박막의 투과도와 기계적 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 질화막을 형성하는 단계는 상기 실리콘 박막 내 일부 레이어가 실리콘 질화막으로 변화하는 단계인 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 질화막을 형성하는 단계는 상기 실리콘 박막이 모두 실리콘 질화막으로 변화하는 단계인 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는 이격공간을 가지는 지지 프레임 상에 실리콘 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 버퍼막을 제공하는 단계; 및 상기 버퍼막 상에 상기 실리콘 박막을 제공하는 단계; 를 포함하고,상기 제 2 단계 후에,상기 이격공간을 통하여 노출된 상기 실리콘 기판을 제거한 후 상기 펠리클 박막을 분리하는 제 3 단계;를 더 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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실리콘 박막을 준비하는 제 1 단계; 및상기 실리콘 박막에 탄소를 이온주입하고 열처리하여 상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 탄화막을 형성함으로써 펠리클 박막을 구현하는 제 2 단계; 를 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 이온주입하는 탄소의 주입량을 조절함으로써 상기 펠리클 박막의 투과도와 기계적 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 탄화막을 형성하는 단계는 상기 실리콘 박막 내 일부 레이어가 실리콘 탄화막으로 변화하는 단계인 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리콘 박막의 적어도 일부에 실리콘 탄화막을 형성하는 단계는 상기 실리콘 박막이 모두 실리콘 탄화막으로 변화하는 단계인 것을 특징으로 하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 단계는 이격공간을 가지는 지지 프레임 상에 실리콘 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 버퍼막을 제공하는 단계; 및 상기 버퍼막 상에 상기 실리콘 박막을 제공하는 단계; 를 포함하고,상기 제 2 단계 후에,상기 이격공간을 통하여 노출된 상기 실리콘 기판을 제거한 후 상기 펠리클 박막을 분리하는 제 3 단계;를 더 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조방법
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