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금속층 및 세라믹층이 교번하여 형성되되, 금속층의 두께 및 세라믹층의 두께는 열방사체가 방사하는 광의 파장보다 작은 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서,금속층 및 세라믹층은 2회 이상 교번하는 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서,세라믹층은 알루미늄 산화물, 타이타늄 산화물, 헤프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 어븀 산화물, 징크 산화물, 텔러륨 산화물, 실리콘 산화물, 스칸듐 산화물, 니오븀 산화물, 몰리브데늄 산화물, 망간 산화물, 루테슘 산화물, 저머늄 산화물, 디스프로슘 산화물, 베릴륨 산화물, 칼슘 카보네이트, 알루미늄 질화물, 갈륨 질화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서,금속층은, 백금, 텅스텐 및 탄탈륨 중 적어도 하나를 포함하는 것을 열방사체용 다층박막구조체
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청구항 1에 있어서,광흡수율이 최대인 최대흡수파장은 금속층의 두께 및 세라믹층의 두께의 비율에 의존하는 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체
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기판; 및 기판 상에 금속층 및 세라믹층이 교번하여 형성되되, 금속층의 두께 및 세라믹층의 두께는 열방사체가 방사하는 광의 파장보다 작은 다층박막층;을 포함하는 열방사체
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청구항 6에 있어서, 다층박막층 상에 산화방지층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열방사체
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청구항 7에 있어서,기판 및 다층박막층 사이에 위치하는 반사층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열방사체
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청구항 8에 있어서,금속층 및 반사층은 동일한 금속을 포함하고, 금속층의 두께는 반사층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 열방사체
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삭제
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세라믹 기판을 준비하는 단계; 및 세라믹 기판 상에, 금속층 및 세라믹층을 교번하여 증착시키는 단계;를 포함하는 열방사체용 다층박막구조체 제조방법으로서, 금속층의 두께 및 세라믹층의 두께는 열방사체가 방사하는 광의 파장보다 작은 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체 제조방법
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사파이어 기판 상에 백금반사층을 증착시키는 단계;백금반사층 상에 알루미늄 산화물(Al2O3)층을 증착시키는 단계;알루미늄 산화물층 상에 백금층을 증착시키는 단계; 및백금층 상에 알루미늄 산화물 산화방지층을 증착시키는 단계;를 포함하는 열방사체 제조방법으로서,알루미늄 산화물층의 두께 및 백금층의 두께는 열방사체가 방사하는 광의 파장보다 작은 것을 특징으로 하는 열방사체용 다층박막구조체 제조방법
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