| 1 |
1
제1 기판 및 제2 기판의 일 면에 접착층(Adhesive)이 제공되는 단계;상기 제1 기판의 타 면에 유기 소자(Organic Device)가 제공되는 단계; 및상기 유기 소자에 상기 제2 기판에 제공된 접착층(Adhesive)이 상기 유기 소자와 접하도록 상기 제2 기판이 제공되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 기판의 타 면에 상기 유기 소자가 제공되는 단계 이전에,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 타면에 봉지막층(Barrier)이 제공되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 봉지막층은 무기박막층(Inorganic film)을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 봉지막층은 유기박막층(Organic film)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 유기 박막층은 2개의 상기 무기박막층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 무기박막층은 Al2O3, ZnO, ZrO2, TiO2, MgO, WO3, ZnS, Y2O3, HfO2, SiO2, SiNx 및 AlN 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 7 |
7
제3항에 있어서,무기박막층의 두께는 1nm 내지 1μm 인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제2항에 있어서,상기 봉지막층은 화학기상증착, 스퍼터링, 이온빔 증착법 또는 전자빔 증착법을 이용하여 제공되는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 일 면에 상기 접착층이 제공되는 단계 이후에,상기 접착층과 접하도록 이형지층이 제공되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 유기 소자는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 기판은 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 기판의 두께는 1μm 내지 500μm 인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 유기 소자는 열증착(Thermal Evaporation) 공정을 통해서 제공되는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
제1 기판 및 제2 기판의 일 면에 접착층(Adhesive)이 제공되고,상기 제1 기판의 타 면에 유기 소자(Organic Device)가 제공되며,상기 제2 기판의 접착층이 상기 유기 소자와 접하도록 제2 기판이 제공되어 형성되는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 타면에 봉지막층(Barrier)이 제공된 후에, 상기 제1 기판에 제공된 봉지막층과 접하도록 상기 유기 소자가 제공되는 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 유기 소자는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 보호막이 형성된 유기 소자
|
