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기계적 특성 및 전기적 특성이 개선된 탄소나노튜브섬유에 있어서,빈 공간을 가지는 원-탄소나노튜브섬유(CNTF);상기 원-탄소나노튜브섬유의 빈 공간의 적어도 일부에 채워져 있는 페놀계 레진을 포함하며,상기 페놀계 레진은 레소시놀-포름알데히드 레진을 포함하며,상기 페놀계 레진과 상기 원-CNTF 사이에 위치하는 양전하성 계면활성제를 더 포함하며,상기 양전하성 계면활성제는 세틸 트리메틸암모니움 브로마이드(CTAB)을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브섬유
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제1항에 있어서, 상기 페놀계 레진은 연속상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브섬유
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기계적 특성 및 전기적 특성이 개선된 탄소나노튜브섬유의 제조방법에 있어서,빈 공간을 가지는 원-탄소나노튜브섬유(CNTF)를 마련하는 단계와;페놀계 레진의 모노머를 포함하는 중합용액을 마련하는 단계;상기 원-CNTF가 상기 중합용액에 침지된 상태에서 상기 중합용액의 중합을 진행하여 페놀계 레진이 상기 원-CNTF의 빈공간의 적어도 일부에 위치하는 페놀계레진-CNTF를 마련하는 단계를 포함하며,상기 중합용액은 양전하성 계면활성제를 더 포함하며,상기 페놀계 레진은 레소시놀-포름알데히드 레진을 포함하며,상기 양전하성 계면활성제는 세틸 트리메틸암모니움 브로마이드(CTAB)를 포함하며,상기 페놀계 레진-CNTF에 있어서,상기 양전하성 계면활성제는 상기 페놀계 레진과 상기 원-CNTF 사이에 위치하는 탄소나노섬유의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 페놀계 레진-CNTF에 있어서,상기 페놀계 레진은 연속상인 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 페놀계 레진-CNTF를 탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 탄화단계 전에,상기 탄화단계의 온도보다 200℃ 내지 500℃ 낮은 온도에서 수행되는 안정화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 탄화단계는 500℃ 내지 750℃에서 10분 내지 5시간 동안 수행되며,상기 안정화단계는 200℃ 내지 350℃에서 10분 내지 5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 제조방법
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