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직접적 임프린팅용 탄성체 몰드 및 이를 이용한 전극 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023882
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드 및 이를 이용한 전극 제조 방법에 관한 것으로, 탄성체 몰드에 전극 패턴 부분과, 전극 패턴 부분의 가장자리를 따라 저장조 패턴을 음각지게 형성하고, 전극 패턴 부분 대비 저장조 패턴 부분의 과도 변형으로 인한 상당한 부피 감소가 발생하고 저장조 패턴 내부에 유입된 전극 잉크를 전극 패턴 내부로 이동시킬 수 있도록 함으로써, 전극 패턴 내부의 전극 잉크 채워짐을 향상시켜 저비용, 높은 생산성, 높은 성능을 가진 금속 투명 전극의 제작을 가능하도록 하고, 금속 투명 전극 구조물의 높이를 증가시켜 동일한 투과도 대비 면저항을 상당히 낮출 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01.01) B29C 59/02 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020150167921 (2015.11.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1717952-0000 (2017.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성형진 대한민국 대전광역시 유성구
2 오용석 대한민국 대전광역시 유성구
3 최동윤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1163305-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0583767-54
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1005232-26
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1005231-81
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0120728-37
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-1048914-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가압에 의한 탄성변형을 통해 직접적 임프린팅 방식으로 기판 상에 전극을 형성하기 위한 탄성체 몰드에 있어서,상기 탄성체 몰드는,상기 전극 형상에 대응되게 음각지며 형성되는 전극 패턴 그루브; 및상기 전극 패턴 그루브에 연결되며 상기 전극 패턴 그루브의 가장자리를 따라 음각지게 형성되여, 탄성 변형시 상기 전극 패턴 그루브 보다 더 큰 부피 감소를 통해 내부 유입된 전극 잉크가 상기 전극 패턴 그루브 내부로 주입되며 더 채워지도록 하는 저장조 패턴 그루브;을 포함하는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
2 2
제1항에서,상기 전극은 금속 투명 전극인 것을 포함하는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
3 3
제1항에서,상기 저장조 패턴 그루브의 단면적이 상기 전극 패턴 그루브의 단면적보다 크고, 상기 저장조 패턴 그루브의 단면적 폭이 상기 전극 패턴 그루브의 단면적 폭보다 더 크게 형성되는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
4 4
제3항에서,상기 전극 패턴 그루브의 단면적에 대한 종횡비는 1 내지 4/3 범위 이내로 이루어지는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
5 5
제3항에서,상기 저장조 패턴 그루브의 단면적에 대한 종횡비는 상기 전극 패턴 그루브와 동일 높이 조건에서 1/2 내지 1/200 범위 이내로 이루어지는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
6 6
제1항에서,상기 저장조 패턴 그루브가 이루는 전체 체적은 상기 전극 패턴 그루브가 이루는 전체 체적과 같거나 더 크게 형성되는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
7 7
제6항에서, 상기 전극 패턴 그루브는 마이크로(Micro)로 스케일로 이루어지고,상기 저장조 패턴 그루브는 상기 전극 패턴 그루브 보다 더 큰 스케일로 이루어지는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
8 8
제1항에서, 상기 전극 패턴은 격자 형태로 이루어지고,상기 저장조 패턴은 격자 형태의 상기 전극 패턴의 가장자리를 따라 사각틀 형태로 이루어지는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
9 9
제1항에서, 상기 탄성체 몰드는 PDMS(polydimethysiloxane) 재질로 이루어지는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드
10 10
제1항 내지 제7항중 어느 한 항의 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드를 이용한 전극 제조 방법에 있어서,전극 잉크가 제공된 기판 상에 상기 탄성체 몰드를 올려 가열 가압된 상태로 상기 탄성체 몰드의 탄성 변형을 통해 상기 전극 패턴 그루브 내에 상기 전극 잉크를 임프린팅시키는 임프린팅 단계;를 포함하고,상기 임프린팅 단계에서, 상기 탄성체 몰드의 상기 전극 패턴 그루브 부분과 상기 전극 패턴 그루브의 가장자리를 따라 형성되는 저장조 패턴 그루브 부분의 변형에 의한 부피 감소 차이를 통해 상기 저장조 패턴 그루브 내로 유입된 상기 전극 잉크가 상기 전극 패턴 그루브 내부로 주입되며 더 채워지도록 하는 직접적 임프린팅용 탄성체 몰드를 이용한 전극 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 리더연구자지원 옵토-유체-연성체 상호작용 연구단
2 산업통상자원부 엘지디스플레이(주) 미래산업선도기술개발 R2R 인쇄전자를 이용한 40인치급 액티브 월페이퍼용 TFT 백플레인 개발