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초전도체로서,자기장이 존재하는 환경에서 상기 초전도체상 상기 자기장이 수직으로 관통하여 보텍스가 형성되는 영역에 상기 초전도체의 표면에서 상기 초전도체 내부의 일정 깊이까지 식각 형성되는 복수의 제1 홀을 가지며, 상기 복수의 제1 홀은 서로 기설정된 거리 만큼 이격 형성되고, 상기 제1홀의 내부에는, 상기 제1홀의 직경 보다 작은 직경을 가지는 적어도 하나의 제2 홀이 형성되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 제2홀의 내부에는, 강자성체가 채워지며, 상기 강자성체에 의해 상기 자기장이 상기 제2홀의 내부로 집중되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 일정 깊이는,상기 자기장이 상기 초전도체의 내부의 공간으로 침투하는 자기장 관통 깊이(penetration depth : )보다 길고, 상기 제1홀의 폭의 1/2과 같거나 길게 형성되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 제1홀의 폭은상기 초전도체의 표면을 흐르는 RF 전류의 파장 보다 크도록 형성되는 초전도체
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초전도체로서,자기장이 존재하는 환경에서 상기 초전도체상 상기 자기장이 수직으로 관통하여 보텍스가 형성되는 영역에 상기 초전도체의 표면에서 상기 초전도체 내부의 일정 깊이까지 식각 형성되는 복수의 제1 홀을 가지며, 상기 복수의 제1 홀은 서로 기설정된 거리 만큼 이격 형성되고,상기 제1 홀과 상기 초전도체 표면이 맞닿는 영역에는 모서리가 형성되며, 상기 제1홀의 영역 중 상기 모서리가 형성된 영역에서 상기 보텍스의 마이스너 전류가 상대적으로 적게 흐르도록 제어되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 제1홀간 간격은,상기 보텍스의 코히어런스 랭스(coherence length) 보다 크게 형성되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 제1홀과 제2홀의 간격은,상기 자기장이 상기 초전도체의 내부의 공간으로 침투하는 자기장 관통 깊이() 보다 길게 형성되는 초전도체
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제 1 항에 있어서,상기 제1홀은,육각형 또는 사각형으로 형성되며, 상기 제2홀은,원형으로 형성되는 초전도체
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초전도체 형성 방법으로서,상기 초전도체상 자기장이 수직으로 관통하여 보텍스가 형성되는 제1 영역외에 나머지 제2 영역에 식각 보호막을 형성시키는 단계와,상기 식각 보호막을 이용하여 상기 제1 영역에서 상기 초전도체의 표면으로부터 상기 초전도체 내부의 일정 깊이까지 복수의 제1홀을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1홀의 내부에는, 상기 제1홀의 직경 보다 작은 직경을 가지는 적어도 하나의 제2 홀이 형성되는 초전도체 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제2홀의 내부에는, 강자성체가 채워지는 초전도체 형성 방법
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초전도체 형성 방법으로서,기판상 기설정된 간격과 깊이로 복수의 제1홀을 형성하는 단계와,상기 복수의 제1홀이 형성된 상기 기판의 표면에 초전도 물질을 박막으로 형성시키는 단계와,각각의 제1홀의 내부에 상기 제1홀의 직경 보다 작은 직경을 가지는 적어도 하나의 제2 홀을 형성하는 단계를 포함하는 초전도체 형성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제2홀의 내부에는, 강자성체가 채워지는 초전도체 형성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 초전도 물질은,CVD 방식으로 상기 기판의 표면에 증착 형성되는 초전도체 형성 방법
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