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실리콘 광전소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019024320
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 관점에 따르면, 실리콘 광전소자의 기판 상에 제 1 웰(well)을 형성하기 위한 영역을 노출시키는 절연 스크린 패턴을 형성하는 제 1 단계; 상기 절연 스크린 패턴 및 상기 기판 상에 스핀 코팅 공정으로 도펀트 물질을 함유하는 층(SOD; Spin On Dopant)을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 절연 스크린 패턴을 제거하지 않은 상태에서 제 1 어닐링 공정을 수행함으로써, 상기 도펀트 물질을 함유하는 층으로부터 도펀트가 상기 기판 밖으로 확산되었다가 상기 기판 중에서 상기 제 1 웰을 형성하기 위한 영역 이외의 영역으로 다시 들어가는 것을 방지하면서, 상기 도펀트 물질을 함유하는 층으로부터 상기 기판 내로 도펀트를 확산시켜 상기 제 1 웰을 형성하는 제 3 단계;를 포함하는, 실리콘 광전소자의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01)
출원번호/일자 1020170139451 (2017.10.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1942015-0000 (2019.01.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설우석 대전광역시 유성구
2 유현 대전광역시 유성구
3 박상현 대전광역시 유성구
4 김광희 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1056263-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001357-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0506688-86
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0940277-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1058709-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1058710-49
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0009802-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 광전소자의 기판 상에 제 1 웰(well)을 형성하기 위한 영역을 노출시키는 절연 스크린 패턴을 형성하는 제 1 단계;상기 절연 스크린 패턴 및 상기 기판 상에 스핀 코팅 공정으로 도펀트 물질을 함유하는 층(SOD; Spin On Dopant)을 형성하는 제 2 단계; 상기 절연 스크린 패턴을 제거하지 않은 상태에서 제 1 어닐링 공정을 수행함으로써, 상기 도펀트 물질을 함유하는 층으로부터 도펀트가 상기 기판 밖으로 확산되었다가 상기 기판 중에서 상기 제 1 웰을 형성하기 위한 영역 이외의 영역으로 다시 들어가는 것을 방지하면서, 상기 도펀트 물질을 함유하는 층으로부터 상기 기판 내로 도펀트를 확산시켜 상기 제 1 웰을 형성하는 제 3 단계; 및상기 절연 스크린 패턴 및 상기 도펀트 물질을 함유하는 층을 제거한 후에 제 2 어닐링 공정을 수행함으로써, 상기 제 1 웰로부터 상기 기판 내로 도펀트를 더 확산시켜 제 2 웰을 형성하는 제 4 단계; 를 포함하되, 상기 제 4 단계는, 상기 절연 스크린 패턴 및 상기 도펀트 물질을 함유하는 층을 제거한 후에 상기 제 2 어닐링 공정을 수행하기 전에, 상기 제 1 웰로부터 도펀트가 상기 기판 밖으로 확산되었다가 상기 기판 중에서 상기 제 2 웰을 형성하기 위한 영역 이외의 영역으로 다시 들어가는 것을 방지하도록, 상기 기판 및 상기 제 1 웰을 덮는 캐핑막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 웰은 상기 제 2 웰보다 농도가 더 높으며, 상기 제 2 웰은 상기 제 1 웰보다 정션 깊이가 더 깊은 것을 특징으로 하는, 실리콘 광전소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계;는 스핀 코팅 공정으로 절연 스크린막을 형성하고 패터닝하여 상기 절연 스크린 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 3 단계;는 상기 절연 스크린 패턴과 상기 도펀트 물질을 함유하는 층이 상기 제 1 어닐링 공정을 수행할 때 스핀 코팅 공정의 용매가 빠져나가면서 함께 수축 변성되는 단계;를 포함하는,실리콘 광전소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계;는 화학적 기상 증착 공정으로 절연 스크린막을 형성하고 패터닝하여 상기 절연 스크린 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 3 단계;는 상기 도펀트 물질을 함유하는 층이 상기 제 1 어닐링 공정을 수행할 때 용매가 빠져나가면서 수축 변성되는 단계;를 포함하는,실리콘 광전소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계;는 상기 절연 스크린 패턴의 단차에 따라 발생하는 상기 도펀트 물질을 함유하는 층 내의 도펀트의 농도 불균일도를 극복하기 위하여 스핀 코팅 공정 및 베이크 공정을 순차적으로 복수회 진행함으로써 복수층의 도펀트 물질을 함유하는 층을 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 광전소자의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 웰은 웰 면적이 수백 ㎛2 내지 수만 ㎛2 이며, 정션의 최대 깊이가 수백 nm이며, 상기 도펀트의 최대 농도가 1020/cm3이며, 상기 제 2 웰은 웰 면적이 수백 ㎛2 내지 수만 ㎛2 이며, 정션의 최대 깊이가 수 ㎛이며, 상기 도펀트의 최대 농도가 1017/cm3인, 실리콘 광전소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 어닐링 공정은 급속 열처리 공정(RTA: Rapid Thermal Annealing)을 포함하며, 상기 제 2 어닐링 공정은 퍼니스(Furnace) 열처리 공정을 포함하는, 실리콘 광전소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 나노종합기술원 나노 Open Innovation Lab 협력사 극저조도 영상 나노 소자를 활용한 방사선 계측모듈 상용화(극저조도 영상계측 나노소자 공정기술 개발)