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모노올레인 이중층, 상기 모노올레인 이중층으로 둘러 싸여져 있는 내부 수상 채널, 및 상기 내부 수상채널에 고정화된 이온성 고분자를 포함하는 지질 나노구조체로,상기 이온성 고분자는 카르복실산기, 설폰산기, 포스페이트기 및 그의 염에서 선택되는 음이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 음이온성 고분자, 또는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 4차 아민 및 그의 염에서 선택되는 양이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 양이온성 고분자로, 반응성 잔기의 일부가 C5~C18 아실기로 치환되어 소수성으로 개질되며, 이황화 결합으로 가교된 것인, 지질 나노구조체
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제1항에 있어서,상기 지질 나노구조체는 모노올레인 큐빅상인 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체
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제1항에 있어서,상기 이황화 결합은 이온성 고분자와 정전기적으로 결합된 2 이상의 연결기 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체
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제4항에 있어서,상기 이황화 결합은 하나의 분자 내에 이온기를 2개 이상 포함하고 이황화 결합을 포함하는 화합물을 통해 형성되며, 상기 화합물의 이온기와 이온성 고분자의 이온기는 서로 반대 전하를 가진 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체
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제1항에 있어서,상기 지질 나노구조체는 환원제 또는 pH에 감응하여 내부 수상채널 밖으로 방출되는 유효성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중에서 선택되는 어느 하나의 지질 나노구조체를 포함하는 유효성분 전달체
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모노올레인 이중층, 상기 모노올레인 이중층으로 둘러 싸여져 있는 내부 수상 채널, 및 상기 내부 수상채널에 고정화된 이온성 고분자를 포함하는 지질 나노구조체를 이용하여 환원제 또는 pH의 감응에 따라 내부 수상채널 밖으로 방출되는 유효성분의 양을 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 이온성 고분자는 카르복실산기, 설폰산기, 포스페이트기 및 그의 염에서 선택되는 음이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 음이온성 고분자, 또는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 4차 아민 및 그의 염에서 선택되는 양이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 양이온성 고분자로, 반응성 잔기의 일부가 C5~C18 아실기로 치환되어 소수성으로 개질되며, 이황화 결합으로 가교된 것인, 환원 응답성 유효물질의 방출방법
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반응성 잔기의 일부가 C5~C18 아실기로 치환되어 소수성으로 개질된 이온성 고분자 및 이온성 이황화물을 포함하는 고분자 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 고분자 수용액을 모노올레인 용액에 첨가하는 단계;를 포함하며,상기 이온성 고분자는 카르복실산기, 설폰산기, 포스페이트기 및 그의 염에서 선택되는 음이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 음이온성 고분자, 또는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 4차 아민 및 그의 염에서 선택되는 양이온성 잔기를 반복단위 내에 포함하는 양이온성 고분자이며,상기 이온성 이황화물은 하나의 분자 내에 2 내지 6개의 이온기 및 이황화 결합을 포함하며, 상기 이온성 고분자와 반대 전하를 가진 화합물인, 지질 나노구조체의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 모노올레인 용액은 모노올레인을 30 내지 70℃에서 가열하여 용융된 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 고분자 수용액은 유효성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지질 나노구조체의 제조방법
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제 9항에 있어서,모노올레인 100 중량부에 대하여, 상기 이온성 고분자 및 상기 이온성 이황화물이 각각 0
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