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기판;상부 구조물;상기 기판과 상기 상부 구조물 사이에서 상호 맞닿는 제1 및 제2 타입의 웰들(wells); 및상기 제1 및 제2 타입의 웰들의 상호 맞닿는 부위에서 상기 기판의 상면으로부터 상기 상부 구조물의 하면까지 수직으로 접촉되도록 각 타입에 따른 수직 고농도 도핑 영역들을 형성하는 항복전압 개선 영역을 포함하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 상호 맞닿는 부위에 있는 경계영역을 포함하고, 상기 경계영역은 상기 제1 및 제2 타입의 수직 고농도 도핑영역들에 의해 오버래핑되거나, 경계면을 형성하거나 또는 언더래핑되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 수직 고농도 도핑 영역들의 폭(width)의 합에 대한 상기 경계영역의 폭의 퍼센트 비율로서 정의된 △WBS 가 -5(%) ≤ △WBS(%) ≤ +7(%) 의 허용범위를 가지도록 상기 경계영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 수직 고농도 도핑 영역들을 상호 대칭적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 수직 고농도 도핑 영역들의 경계영역에서 멀어짐에 따라 도핑 농도가 낮아지도록 상기 수직 고농도 도핑 영역들을 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 제1 및 제2 타입의 웰들 각각보다 높고 상기 제1 및 제2 타입의 웰들 각각의 일부에 형성되는 소스 및 드레인 도핑 영역보다 낮은 도핑 농도로 상기 수직 고농도 도핑 영역들을 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은1
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 타입의 웰들은 모두 합하여 15μm ~ 25μm의 폭으로 형성되고,상기 항복전압 개선 영역은 상기 제1 및 제2 타입의 웰들의 폭의 합의 5% ~ 15%에 해당하는 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 타입의 웰들 각각은 0
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제1항에 있어서, 상기 수직 고농도 도핑 영역들은각 타입에 따른 순차적인 임플랜트 도핑을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은상기 제1 및 제2 타입의 웰들 각각의 일부에 형성되는 소스 및 드레인 도핑 영역의 두께(thickness) 대비 400% ~ 600%의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제13항에 있어서, 상기 항복전압 개선 영역은1
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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상부에서 상호 맞닿는 제1 및 제2 타입의 웰들을 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 타입의 웰들의 상호 맞닿는 부위에서 상기 기판의 상면으로부터 상부 구조물의 하면까지 수직으로 접촉되도록 각 타입에 따른 수직 고농도 도핑 영역들을 형성하는 항복전압 개선 영역 및 상기 상부 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 타입의 웰들은 상기 기판과 상기 상부 구조물 사이에서 상호 맞닿는 트랜지스터 제조 방법
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