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반도체 검사용 프로브에 있어서,상기 프로브의 외면(표면)에는, 상기 외면에서 돌출 또는 함몰되는 표면적 확대 구조가 형성되되,상기 표면적 확대 구조는, 상기 프로브의 전체 영역에 형성되는, 계층적 구조를 갖는 반도체 검사용 프로브
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반도체 검사용 프로브에 있어서,상기 프로브의 외면(표면)에는, 상기 외면에서 돌출 또는 함몰되는 표면적 확대 구조가 형성되되,상기 프로브는, 주몸체; 및상기 주몸체의 외면에 코팅되는 코팅층; 을 포함하며,상기 표면적 확대 구조는 상기 코팅층을 식각, 화학반응, 양극산화 또는 전기화학반응하여 형성되는, 계층적 구조를 갖는 반도체 검사용 프로브
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 프로브는 굴곡부가 적어도 하나 이상 형성된 수직형 또는 코브라 형 프로브로 이루어지며, 상기 굴곡부에는 절연 재질이 코팅되는 것을 특징으로 하는, 계층적 구조를 갖는 반도체 검사용 프로브
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삭제
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반도체 검사용 프로브의 제조방법에 있어서,상기 프로브의 주몸체에 코팅층을 코팅하는 단계; 및상기 코팅층을 성형하여 표면적 확대 구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 검사용 프로브의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 코팅층의 성형 방법은,식각, 화학반응, 양극산화 또는 전기화학반응 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 검사용 프로브의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 코팅층의 재질은,알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는, 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 반도체 검사용 프로브의 제조방법
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