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실리콘 기판 표면; 및상기 실리콘 기판 표면의 측면에 위치하는 실리콘 기판 측면을 포함하고,상기 실리콘 기판은 복수개의 열화부를 포함하며,상기 열화부는, 상기 실리콘 기판 측면의 최외곽 면으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 일정 길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 열화부는, 상기 실리콘 기판의 표면 영역에 형성되고,상기 실리콘 기판은 상기 열화부를 따라 상기 길이 방향으로 초기박리가 일어난 것인 실리콘 기판
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고,상기 실리콘 기판 측면은, 실리콘 기판 제1측면; 및 상기 실리콘 기판 제1측면과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면을 포함하는 실리콘 기판
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제 2 항에 있어서,상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되고, 제1-1열화부; 및 상기 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 제1-2열화부를 포함하며,상기 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판
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제 2 항에 있어서,상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되는 복수개의 일측 열화부; 및 상기 실리콘 기판 제2측면에 형성되는 복수개의 타측 열화부를 포함하고,상기 복수개의 일측 열화부는, 일측 제1-1열화부 및 상기 일측 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 일측 제1-2열화부를 포함하고, 상기 복수개의 타측 열화부는, 타측 제1-3열화부 및 상기 타측 제1-3열화부와 이격하여 위치하는 타측 제1-4열화부를 포함하며,상기 일측 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고,상기 일측 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며,상기 타측 제1-3열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고,상기 타측 제1-4열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 표면의 상기 제1면 및 상기 제2면 중 적어도 어느 하나 이상의 면에 위치하는 실리콘 기판
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실리콘 모재를 준비하는 단계;상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계;상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에 스트레스층을 형성하는 단계;상기 스트레스층 및 상기 실리콘 모재의 일부 영역을 리프트 오프하는 단계; 및상기 스트레스층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는,상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것이며,상기 실리콘 모재는 상기 열화부를 따라 상기 길이 방향으로 초기박리가 일어나는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리콘 모재는, 모재 표면; 및 상기 모재 표면의 측면에 위치하는 모재 측면을 포함하고,상기 모재 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고,상기 모재 측면은, 모재 제1측면; 및 상기 모재 제1측면과 인접하여 위치하는 모재 제2측면을 포함하는 실리콘 기판의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 기판의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이며,상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법
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