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베이스 패턴을 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 패턴 및 상기 기판을 덮고, 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 물질층을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 영역 중에서 상기 제1 영역 상에 선택적으로(selectively) 제1 희생층을 형성하는 단계; 상기 제2 영역이 잔존되도록, 상기 제1 영역 및 상기 제1 희생층을 제거하는 단계; 상기 기판, 상기 제1 물질층, 및 상기 베이스 패턴을 덮고, 제3 및 제4 영역을 포함하는 제2 물질층을 형성하는 단계; 상기 제3 및 제4 영역 중에서 상기 제3 영역 상에 선택적으로 제2 희생층을 형성하는 단계; 및상기 제4 영역이 잔존되도록, 상기 제3 영역 및 상기 제2 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제3 영역은, 각각 상기 기판의 상부면과 평행한 상기 제1 및 제2 물질층의 일 영역이고, 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역은, 각각 상기 기판의 상부면과 직각인 상기 제1 및 제2 물질층의 일 영역인 것을 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 희생층을 형성하는 단계는, 상기 제1 물질층 상에, 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하는 플라즈마를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 희생층을 형성하는 단계는, 상기 제2 물질층 상에, 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하는 플라즈마를 제공하는 단계를 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 물질층의 상기 제1 영역 및 상기 제1 희생층을 제거하는 단계에서, 상기 제1 물질층의 상기 제1 영역 및 상기 제1 희생층은 동시에 제거되고, 상기 제2 물질층의 상기 제3 영역 및 상기 제2 희생층을 제거하는 단계에서, 상기 제2 물질층의 상기 제3 영역 및 상기 제2 희생층은 동시에 제거되는 것을 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질층은 무기 물질을 포함하고, 상기 제2 물질층은 유기 물질을 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 제1 물질층은 Al2O3를 포함하고, 상기 제2 물질층은 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제2 물질층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에, 알루미늄을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 벤젠 고리를 포함하는 제2 전구체를 제공하는 단계를 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 유기소스 물질은, HQ(Hydroquinone)인 것을 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제2 희생층을 제거하는 단계 이후, 상기 제1 물질층 및 상기 제2 물질층 중 어느 하나의 층을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질층을 형성하는 단계, 상기 제1 희생층을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 및 상기 제1 희생층을 제거하는 단계, 상기 제2 물질층을 형성하는 단계, 상기 제2 희생층을 형성하는 단계, 및 상기 제3 영역 및 상기 제2 희생층을 제거하는 단계는 하나의 유닛 공정(unit process)를 이루고, 상기 유닛 공정은 복수회 반복되는 것을 포함하는 초미세 패턴의 제조 방법
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기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 유닛 패턴들을 포함하는 그룹 패턴을 포함하되, 상기 그룹 패턴은 상기 기판 상에 복수 개 배치되고, 복수의 상기 그룹 패턴들 사이의 거리는, 상기 그룹 패턴 내의 복수의 상기 유닛 패턴들 사이의 거리보다 긴 것을 포함하는 초미세 패턴
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제11 항에 있어서, 상기 유닛 패턴은, 상기 기판의 상부면과 수직 방향으로 연장되는 것을 포함하는 초미세 패턴
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제11 항에 있어서, 상기 유닛 패턴은, Al2O3를 포함하는 초미세 패턴
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