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스포듀민광 및 염소 가스를 혼합하여 염소화 반응하는 단계; 및상기 염소화 반응에 의해 염화 리튬 가스가 생성되고, 상기 가스를 승화하는 단계를 포함하는 염화 리튬 제조방법이되, 상기 염소화 반응 단계는, 1100℃ 이상 1200℃ 미만의 온도 범위에서 실시하는 것이고,상기 염소화 반응 단계에서, 상기 스포듀민광 및 염소 가스에 코크스를 더 포함하고, 상기 코크스는 스포듀민광 100중량%에 대해 0
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제1항에서,상기 염소화 반응 단계 이후,스포듀민광 100중량%에 포함된 리튬 원소의 양은 2
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스포듀민광 및 염소 가스를 혼합하여 염소화 반응하는 단계; 및상기 염소화 반응에 의해 염화 리튬 가스가 생성되고, 상기 가스를 승화하는 단계를 포함하는 염화 리튬 제조방법이되, 상기 염소화 반응 단계는, 1100℃ 초과 내지 1200℃ 미만 온도 범위에서 실시하는 것이고,상기 염소화 반응 단계에서, 상기 스포듀민광 및 염소 가스에 코크스를 더 포함하고, 상기 코크스는 스포듀민광 100중량%에 대해 0
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제5항에서, 상기 염소화 반응 단계 이후,스포듀민광 100중량%에 포함된 리튬 원소의 양은 1
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스포듀민광 및 염소 가스를 혼합하여 염소화 반응하는 단계; 및상기 염소화 반응에 의해 염화 리튬 가스가 생성되고, 상기 가스를 승화하는 단계를 포함하는 염화 리튬 제조방법이되, 상기 염소화 반응 단계는, 1200℃ 이상 내지 1400℃ 이하 온도 범위에서 실시하는 것이고,상기 염소화 반응 단계에서, 상기 스포듀민광 및 염소 가스에 코크스를 더 포함하고, 상기 코크스는 스포듀민광 100중량%에 대해 0
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제8항에서, 상기 염소화 반응 단계 이후,스포듀민광 100중량%에 포함된 리튬 원소의 양은 1
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제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 또는 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 염소화 반응 단계는, 0
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제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 또는 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 염소화 반응 단계에서, 염소 가스의 유량은 300 내지 1500sccm/min인 염화 리튬 제조방법
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제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 또는 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 염소화 반응 단계는, 5분 내지 2시간 동안 실시하는 염화 리튬 제조방법
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제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 또는 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 승화 단계는, 생성된 염화 리튬 가스를 10 내지 770℃까지 냉각하는 염화 리튬 제조방법
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제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 또는 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 코크스의 평균 입경은 100 내지 400㎛인 염화 리튬 제조방법
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스포듀민광, 및 코크스의 조합을 공급하는 호퍼; 상기 호퍼의 하부와 연결되어 염소화 반응을 유도하는 선택 염화기; 및 상기 선택 염화기의 상부에 연결되어, 염소화 반응에 의해 생성된 염화 리튬 가스를 승화하는 승화기를 포함하고,상기 코크스는 스포듀민광 100중량%에 대해 0
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제16항에서, 상기 선택 염화기에는, 상기 선택 염화기의 상부에 연결되어 염소화 반응에 의해 생성된 부산물을 포집하는 부산물 포집기를 더 포함하는 염화 리튬 제조 장치
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