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산화물 반도체를 구동하는 구동 회로에 있어서,상기 산화물 반도체에 연결되고, 상기 산화물 반도체의 소스에 대한 드레인 전압이 단위 전압 당 소정의 시간 이상으로 상승하거나 하강하는 기울기를 갖도록 제어하는 기울기 제어 수단;을 포함하되,상기 단위 전압 당 소정의 시간은 2
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제 1항에 있어서,상기 단위 전압 당 소정의 시간은 75nsec/V 이상인 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로
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제 1항에 있어서,상기 기울기 제어 수단은상기 산화물 반도체의 게이트 전압의 기울기 또는 크기를 제어함으로써, 상기 드레인 전압의 기울기를 제어하는 게이트 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로
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제 4항에 있어서,상기 기울기 제어 수단은상기 드레인에 결합되고, 상기 드레인 전압의 기울기를 제어하는 용량부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로
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제 5항에 있어서,상기 기울기 제어 수단은상기 드레인에 결합되고, 상기 드레인 전압의 상승 또는 하강 시에 상기 용량부를 충전 또는 방전하는 전류원;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로
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제 6항에 있어서,상기 기울기 제어 수단은전압원; 및상기 드레인 전압의 상승 또는 하강 시에는 상기 드레인에 상기 전류원을 연결하고, 상기 드레인 전압의 상승 또는 하강이 완료된 후에는 상기 드레인에 상기 전압원을 연결하는 스위치부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로
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산화물 반도체를 포함하고, 디스플레이 셀을 구동하는 게이트 스캔부; 및상기 산화물 반도체를 구동하는 제1항, 제3항 내지 제7항 중 선택되는 어느 한 항의 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 게이트 구동 장치
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메모리 셀;산화물 반도체를 포함하고, 상기 메모리 셀의 워드 라인을 구동하는 워드 라인 구동부;산화물 반도체를 포함하고, 상기 메모리 셀의 비트 라인을 구동하는 비트 라인 구동부; 및상기 워드 라인 구동부 또는 비트 라인 구동부 중 적어도 하나의 산화물 반도체를 구동하는 제1항, 제3항 내지 제7항 중 선택되는 어느 한 항의 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 메모리
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산화물 반도체의 소스에 대한 드레인 전압이 단위 전압 당 소정의 시간 이상으로 상승하거나 하강하는 기울기를 갖도록 제어하는 기울기 제어 단계;를 포함하되,상기 단위 전압 당 소정의 시간은 2
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제 10항에 있어서,상기 단위 전압 당 소정의 시간은 75nsec/V 이상인 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 방법
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제 10항에 있어서,상기 기울기 제어 단계는상기 산화물 반도체의 게이트 전압의 기울기 또는 크기를 제어하는 게이트 제어 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 신뢰성이 향상된 산화물 반도체의 구동 방법
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