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기판;상기 기판 상에 형성된 단수 또는 다수의 제1 전극;상기 기판 상에 형성된 단수 또는 다수의 관통 구멍을 포함하는 마스크층;상기 기판 상에 형성되고, 상기 관통 구멍 안에 위치하는 금속산화물 시드층;상기 금속산화물 시드층 상에 형성된 단수 또는 다수의 금속산화물 와이어;상기 마스크층 상에 형성되고, 상기 금속산화물 와이어 사이를 절연시키는 절연체; 및상기 금속산화물 와이어의 끝단 상에 형성된 단수 또는 다수의 제2 전극;을 포함하고,상기 금속산화물 와이어가 금속산화물 마이크로와이어 및 금속산화물 나노와이어 번들(bundle)을 포함하고, 상기 금속산화물 마이크로와이어 및 상기 금속산화물 나노와이어 번들이 랜덤 또는 교대로 위치하고,상기 금속산화물 와이어와 상기 기판과의 이종접합 면적 크기를 조절함에 따라 발광색이 변화하는 것인 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 관통 구멍, 상기 금속산화물 와이어, 및 상기 제2 전극이 다수인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판;상기 기판 상에 형성된 단수 또는 다수의 제1 전극;상기 기판 상에 형성된 단수 또는 다수의 관통 구멍을 포함하는 마스크층;상기 기판 상에 형성되고, 상기 관통 구멍 안에 위치하는 금속산화물 시드층;상기 금속산화물 시드층 상에 형성된 단수 또는 다수의 금속산화물 와이어;상기 마스크층 상에 형성되고, 상기 금속산화물 와이어 사이를 절연시키는 절연체; 및상기 금속산화물 와이어의 끝단 상에 형성된 단수 또는 다수의 제2 전극; 을 포함하고,상기 금속산화물 와이어가 금속산화물 마이크로와이어 및 금속산화물 나노와이어 번들(bundle)을 포함하고, 상기 금속산화물 마이크로와이어 및 상기 금속산화물 나노와이어 번들이 랜덤 또는 교대로 위치하고,상기 금속산화물 마이크로와이어와 상기 금속산화물 나노와이어 번들에 인가된 역전압 비율에 따라 온백색 또는 냉백색으로 발광하는 것인 발광 소자
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7
제1항에 있어서,상기 금속산화물 마이크로와이어가 420 내지 490 nm 파장의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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8
제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노와이어 번들이 520 내지 600 nm 파장의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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9
제7항에 있어서,상기 금속산화물 마이크로와이어의 직경이 0
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10
제8항에 있어서,상기 금속산화물 나노와이어 번들에 포함된 금속산화물 나노와이어의 직경이 10 내지 200 nm, 길이가 0
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11
제10항에 있어서,상기 금속산화물 나노와이어 번들이 상기 금속산화물 나노와이어 5 내지 5,000개를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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12
제1항에 있어서,상기 제2 전극이 단층 또는 다층으로 구성된 일체형이거나, 또는 하나의 기판상에 상기 금속산화물 마이크로와이어를 전기적으로 연결시키는 전극과 상기 금속산화물 나노와이어 번들을 전기적으로 연결시키는 전극이 분리되어 구성된 분리형인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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13
제1항에 있어서,상기 금속산화물이 ZnO, ZnMgO, ZnCdO, GZO(Ga-doped ZnO), IZO(In-doped ZnO) 및 AZO(Al-doped ZnO) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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14
제1항에 있어서,상기 관통 구멍의 직경이 0
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15
제14항에 있어서,상기 관통 구멍 사이의 간격이 2 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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16
제1항에 있어서,상기 기판이 GaN, InGaN, AlGaN, InAlN 및 InAlGaN 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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17
제1항에 있어서,상기 제1 전극이 인듐, 금, 니켈, 팔라듐, 백금 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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18
제1항에 있어서,상기 제2 전극이 티타늄, 금, 백금, 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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19
제1항에 있어서,상기 마스크층이 폴리메타크릴산메틸(PMMA, polymethyl methacrylate), 스핀 온 글래스(SOG, spin on glass), 스핀 온 인슐레이터(SOI, Spin on insulator), 폴리이미이드(polyimide) 및 폴리디메틸실록산(PDMS, Polydimethylsiloxane) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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(a) 기판 상에 단수 또는 다수의 관통 구멍을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계; (b) 상기 관통 구멍 안에 금속산화물 시드층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속산화물 시드층 상에 단수 또는 다수의 금속산화물 와이어를 형성하는 단계;(d) 상기 마스크층 상에 상기 금속산화물 와이어 사이를 절연시키는 절연체를 형성하는 단계; (e) 상기 기판 상에 단수 또는 다수의 제1 전극을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 금속산화물 와이어의 끝단 상에 단수 또는 다수의 제2 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 발광 소자의 제조방법이고,상기 발광소자는 제1항에 따른 발광소자인 것인 발광 소자의 제조방법
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21
제20항에 있어서,상기 금속산화물 와이어가 상기 금속산화물 시드층의 열처리 온도에 따라 금속산화물 마이크로와이어 및 금속산화물 나노와이어 번들 중 어느 하나로 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 열처리 온도가 250 초과 내지 800℃일 때, 상기 금속산화물 시드층 상에 상기 금속산화물 마이크로와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 열처리 온도가 100 내지 250℃일 때, 상기 금속산화물 시드층 상에 금속산화물 나노와이어 번들이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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