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유연한 발광 다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019033492
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연한 발광 다이오드 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 유연한 발광 다이오드 제조 방법은, 나노 와이어 형태의 구조물로 형성되는 3차원 구조가 적용된 3-5족 화합물 반도체를 유연한 기판의 표면에 복수 개 구비하는 단계; 상기 기판 표면을 아르곤(Ar) 가스 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계; 상기 기판에 갭 필 물질을 분사하여 코팅하는 단계; 및 상기 갭 필 물질의 경화를 수행하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/56 (2010.01.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020170065431 (2017.05.26)
출원인 주식회사 이츠웰, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1902364-0000 (2018.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 이츠웰 대한민국 인천광역시 남동구
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원경일 대한민국 경기도 부천시 대장
2 최지은 대한민국 서울특별시 강남구
3 홍영준 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 장준혁 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
2 (주)코아시아 인천광역시 남동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0505204-53
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0516442-60
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0568130-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0295321-52
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0648400-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0648399-35
7 등록결정서
Decision to grant
2018.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0551918-37
8 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2018.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-5020855-31
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번호 청구항
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나노 와이어 형태의 구조물로 형성되는 3차원 구조가 적용된 3-5족 화합물 반도체를 유연한 기판의 표면에 복수 개 구비하는 단계;상기 기판 표면을 아르곤(Ar) 가스 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계;상기 기판에 갭 필(Gap fill) 물질을 0
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 국제공동기술개발사업(M-ERA.NET) 대면적 그래핀 기판을 이용한 저비용, 고품위의 Ⅲ-ⅴ 나노선 발광소자 개발