맞춤기술찾기

이전대상기술

다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2019033962
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부, 및 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함할 수 있다.
Int. CL G11C 29/00 (2006.01.01) G11C 29/02 (2006.01.01) G11C 8/12 (2006.01.01)
CPC G11C 29/808(2013.01) G11C 29/808(2013.01) G11C 29/808(2013.01)
출원번호/일자 1020160183267 (2016.12.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1836748-0000 (2018.03.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.30)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 마포구
2 이하영 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1294803-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011245-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0819793-90
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1235368-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1235383-29
7 등록결정서
Decision to grant
2018.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0134015-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,상기 그룹 분류부는 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하는메모리 뱅크 수리 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 그룹 분류부는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하고, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류하는 메모리 뱅크 수리 장치
4 4
다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외하는메모리 뱅크 수리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션을 저장하는 저장부를 더 포함하는메모리 뱅크 수리 장치
6 6
다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 고장 정보 수집부; 및상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하고, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 라인 수리부를 더 포함하는메모리 뱅크 수리 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는 메모리 뱅크 수리 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제2 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제2 수리 솔루션을 계산하는 메모리 뱅크 수리 장치
9 9
다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 수리 솔루션 계산부가 상기 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 상기 제2 스페어들에 대한 정보를 갱신하는메모리 뱅크 수리 장치
10 10
그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,상기 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계는,상기 그룹 분류부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하는 단계를 포함하는메모리 뱅크 수리 방법
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서,상기 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계는,상기 그룹 분류부는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하는 단계; 및 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류하는 단계를 더 포함하는메모리 뱅크 수리 방법
13 13
그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,상기 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계는,상기 제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외하는 단계를 더 포함하는메모리 뱅크 수리 방법
14 14
그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,고장 정보 수집부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 단계;라인 수리부에서, 상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하는 단계; 및상기 라인 수리부에서, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 단계를 더 포함하는메모리 뱅크 수리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 초미세폭 3차원 반도체 제조비용 절감을 위한 설계 및 테스트 기술 연구(2/3)