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하나의 테스트 클럭에서 테스트 가능한 TSV(Through-Silicon-Via)수를 제한하는 군집 알고리즘을 이용하여 동시에 테스트할 TSV(Through-Silicon-Via)들의 열(row)을 기준으로 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 선택하고, 행(column)을 기준으로 TSV(Through-Silicon-Via)블록을 선택하는 테스트 제어부;상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 통과한 전압을 측정하고, 상기 측정된 전압과 적어도 하나의 기준 전압을 비교하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들 각각에 대한 제1 비교 결과 신호와 제2 비교 결과 신호를 출력하는 비교부;상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호를 이용하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 포함하는 TSV(Through-Silicon-Via)그룹의 불량 여부를 판별하는 불량 판별부; 및상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹이 불량상태로 판별될 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 개방불량상태, 단락불량상태 또는 정상상태 중 어느 하나로 분석하는 분석부를 포함하고,상기 분석부는,하이 상태, 로우 상태 및 미드 상태를 포함하는 3상태를 출력하는 3상(state) 회로를 포함하고,상기 3상(state) 회로에서 인에이블(enable) 신호와 상기 제1 비교 결과 신호를 이용하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태, 상기 단락불량상태 또는 정상상태 중 어느 하나로 분석하는TSV 병렬 테스트 장치
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제1항에 있어서,상기 불량 판별부는상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호가 동일할 경우, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 불량상태로 판별하여 불량 판별 신호를 출력하고, 상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호가 다를 경우, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 정상상태로 판별하여 정상 판별 신호를 출력하는TSV 병렬 테스트 장치
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제1항에 있어서,상기 분석부는,상기 3상(state) 회로에서 상기 인에이블(enable) 신호를 로우 상태로 수신할 경우, 상기 제1 비교 결과 신호에 따라 상기 동시에 테스트할 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태 또는 상기 단락불량상태 중 어느 하나로 분석하며, 상기 3상(state) 회로에서 상기 인에이블(enable) 신호를 하이 상태로 수신할 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 정상상태로 분석하는TSV 병렬 테스트 장치
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제4항에 있어서,상기 분석부는,상기 제1 비교 결과 신호가 로우 상태일 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태로 분석하고, 상기 제1 비교 결과 신호가 하이 상태일 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 단락불량상태로 분석하는TSV 병렬 테스트 장치
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 기준 전압은 개방에 의한 불량 여부를 판별하기 위한 개방 기준 전압 및 단락에 의한 불량 여부를 판별하기 위한 단락 기준 전압을 포함하고,상기 비교부는,상기 측정된 전압과 상기 개방 기준 전압을 비교하여 하이 상태 또는 로우 상태 중 어느 하나로 상기 제1 비교 결과 신호를 출력하는 제1 비교기; 및상기 측정된 전압과 상기 단락 기준 전압을 비교하여 하이 상태 또는 로우 상태 중 어느 하나로 상기 제2 비교 결과 신호를 출력하는 제2 비교기를 포함하는TSV 병렬 테스트 장치
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제1항에 있어서,상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹이 불량상태로 판별될 경우, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹에 대한 테스트 모드에서 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹에 대한 분석 모드를 수행하도록 테스트 중단 신호를 출력하는 테스트 모드 선택부를 더 포함하는TSV 병렬 테스트 장치
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테스트 제어부에서, 하나의 테스트 클럭에서 테스트 가능한 TSV(Through-Silicon-Via)수를 제한하는 군집 알고리즘을 이용하여 동시에 테스트할 TSV(Through-Silicon-Via)들의 열(row)을 기준으로 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 선택하고, 행(column)을 기준으로 TSV(Through-Silicon-Via)블록을 선택하는 단계;비교부에서, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 통과한 전압을 측정하고, 상기 측정된 전압과 적어도 하나의 기준 전압을 비교하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들 각각에 대한 제1 비교 결과 신호와 제2 비교 결과 신호를 출력하는 단계;불량 판별부에서, 상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호를 이용하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 포함하는 TSV(Through-Silicon-Via)그룹의 불량 여부를 판별하는 단계; 및분석부에서, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹이 불량상태로 판별될 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 개방불량상태, 단락불량상태 또는 정상상태 중 어느 하나로 분석하는 단계를 포함하고,상기 분석하는 단계는,하이 상태, 로우 상태 및 미드 상태를 포함하는 3상태를 출력하는 3상(state) 회로에서 인에이블(enable) 신호와 상기 제1 비교 결과 신호를 이용하여 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태, 상기 단락불량상태 또는 정상상태 중 어느 하나로 분석하는TSV 병렬 테스트 방법
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제9항에 있어서,상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹의 불량 여부를 판별하는 단계는,상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호가 동일할 경우, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 불량상태로 판별하여 불량 판별 신호를 출력하는 단계; 및상기 출력된 제1 비교 결과 신호와 상기 출력된 제2 비교 결과 신호가 다를 경우, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)그룹을 정상상태로 판별하여 정상 판별 신호를 출력하는 단계를 포함하는TSV 병렬 테스트 방법
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제9항에 있어서,상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태, 상기 단락불량상태 또는 정상상태 중 어느 하나로 분석하는 단계는,상기 3상(state) 회로에서 상기 인에이블(enable) 신호를 로우 상태로 수신할 경우, 상기 제1 비교 결과 신호에 따라 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태 또는 상기 단락불량상태 중 어느 하나로 분석하는 단계; 및상기 3상(state) 회로에서 상기 인에이블(enable) 신호를 하이 상태로 수신할 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 정상상태로 분석하는 단계를 포함하는TSV 병렬 테스트 방법
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제12항에 있어서,상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태 또는 상기 단락불량상태 중 어느 하나로 분석하는 단계는,상기 제1 비교 결과 신호가 로우 상태일 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 개방불량상태로 분석하는 단계; 및상기 제1 비교 결과 신호가 하이 상태일 경우, 상기 선택된 TSV(Through-Silicon-Via)들을 상기 단락불량상태로 분석하는 단계를 포함하는TSV 병렬 테스트 방법
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