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양자점(quantum dot); 및상기 양자점의 적어도 일부의 표면을 캐핑하되 3-Mercaptopropyltrimethylsilane (3-MPTMS)을 포함하는 캐핑 리간드;를 구비하며, 상기 캐핑 리간드는 1-octanethiol(OTT)을 더 포함하되, 상기 캐핑 리간드를 구성하는 3-Mercaptopropyltrimethylsilane(3-MPTMS)의 비율은 1-octanethiol(OTT)의 비율 보다 더 높은 것을 특징으로 하는, 양자점 나노 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 적어도 하나 이상의 쉘을 포함하는 코어/쉘 구조를 가지는, 양자점 나노 구조체
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제 2 항에 있어서,상기 코어는 CuInS2, AgInS2, CuGaS2, AgGaS2, CuInSe2, CuGaSe2, AgInSe2 및 AgGaSe2을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 양자점 나노 구조체
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제 3 항에 있어서,상기 쉘은 ZnS, ZnSe 및 ZnSSe을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 양자점 나노 구조체
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제 2 항에 있어서,상기 코어/쉘 구조는 전이 금속이 도핑된 것을 특징으로 하는, 양자점 나노 구조체
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제 5 항에 있어서,상기 전이 금속은 Zn 및 Al을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는,양자점 나노 구조체
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삭제
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1-옥타데센, 구리 올리에이트, 인듐 올리에이트를 혼합한 제 1 혼합용액을 가열하는 단계;가열한 상기 제 1 혼합용액에 1-옥탄싸이올을 주입하고 반응시켜 코어를 형성하는 단계;아연 스티어레이트를 1-옥타데센과 올레익산과 혼합한 제 2 혼합용액을 상기 코어가 형성된 제 1 혼합용액에 주입하고 반응시켜 상기 코어를 둘러싸는 적어도 하나의 쉘을 형성함으로써 코어/쉘 구조는 가지는 양자점을 구현하는 단계; 및3-Mercaptopropyltrimethylsilane(3-MPTMS)을 주입하고 반응시켜 상기 양자점의 표면을 캐핑하되 3-Mercaptopropyltrimethylsilane (3-MPTMS)을 포함하는 캐핑 리간드를 형성하는 단계; 를 포함하는,양자점 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 의한 상기 양자점 나노 구조체를 포함하는, 전계 발광 소자
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제 9 항에 있어서,서로 이격되어 배치된 양극과 음극, 상기 양극과 음극 사이에 개재된 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층을 더 포함하되, 상기 양자점 나노 구조체는 상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층 사이에 개재된 발광층을 구성하는,전계 발광 소자
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