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유리재질의 기판;상기 기판 상에 제1 금 박막의 자가 조립을 통해 형성된 금 나노 입자;상기 금 나노 입자가 형성된 기판 상에 형성되는 제2 금 박막;상기 제2 금 박막 상에 형성되는 실리카(SiO2) 박막;을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제 1항에 있어서,상기 금 나노 입자의 직경은 40nm 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제 2항에 있어서,상기 제2 금 박막의 두께는 20nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제 3항에 있어서,상기 실리카 박막의 두께는 10nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한항의 표면 플라즈몬 공명 센서;상기 실리카 박막에 형성된 다수개의 아미노기;상기 아미노기 상에 형성된 크로스링커(crosslinker); 및상기 크로스링커에 결합된 항체;를 포함하는 바이러스 검출용 표면 플라즈몬 공명 센서
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유리재질의 기판을 준비하는 기판 준비단계;준비된 상기 기판 상에 제1 금 박막을 형성하는 제1 금 박막 형성단계;상기 제1 금 박막을 어닐링하여 금 나노 입자로 자가 조립되게하는 자가조립 단계;상기 금 나노 입자가 형성된 기판 상에 제2 금 박막을 형성하는 제2 금 박막 형성단계;상기 제2 금 박막 상에 실리카(SiO2) 박막을 형성하는 실리카 박막 형성단계;를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제1 금 박막의 두께는 1nm 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제2 금 박막의 두께는 20nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 실리카 박막의 두께는 10nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 자가조립 단계에서, 상기 어닐링은 400℃ 내지 600℃의 조건에서 2분 동안 수행되는 RTA(Rapid Thermal Annealing)이고, 상기 금 나노 입자의 직경은 40nm 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 6항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법으로 표면 플라즈몬 공명 센서를 제조하는 단계;상기 표면 플라즈몬 공명 센서의 상기 실리카 박막에 다수개의 아미노기를 형성하는 아미노기 형성단계;상기 아미노기 상에 크로스링커(crosslinker)를 형성하는 크로스링커 형성단계; 및상기 크로스링커에 항체를 결합하는 항체 결합단계;를 포함하는 바이러스 검출용 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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