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진공증착 장비에 실리콘 웨이퍼를 배치하고, CuI(Copper Iodide) 분말을 보트 내에 담는 단계;진공증착 장비의 챔버 환경을 고진공 환경으로 형성하는 단계;상기 진공증착 장비의 보트에 담겨진 CuI 분말을 가열하여 상기 실리콘 웨이퍼에 1차로 증착시키는 단계;상기 진공증착 장비의 챔버 환경을 고진공 환경으로 다시 형성하는 단계; 및상기 진공증착 장비의 보트에 담겨진 CuI 분말을 가열하여 상기 실리콘 웨이퍼에 2차로 증착시키는 단계;를 포함하는 CuI 이중 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼를 2차로 증착시키는 단계 이후에, 열처리 공정을 수행하는 단계;를 더 포함하는 CuI 이중 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,상기 CuI 분말이 1Å/S 증착속도로 증착되는 것인 CuI 이중 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,RCA-1 공정 및 RCA-2 공정을 통한 클리닝 공정이 진행된 것인 CuI 이중 박막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼에 1차로 증착시키는 단계는,증착 두께 3∼5㎚이고, 전체 두께에서 차지하는 비율을 10∼15%로 증착시키는 것인 CuI 이중 박막 증착 방법
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반도체층 상에 정공 선택 접촉층(Hole Selective Contact layer)이 적층되어 전면에 형성되는 태양전지에 있어서, 상기 정공 선택 접촉층은, CuI 이중 증착 공정을 통해 CuI 이중 박막층으로 형성되는 것인 태양전지
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제 6 항에 있어서,상기 CuI 이중 증착 공정은,진공증착 장비에 실리콘 웨이퍼를 배치하고, CuI(Copper Iodide) 분말을 보트 내에 담고, 진공증착 장비의 챔버 환경을 고진공 환경으로 형성하며,상기 진공증착 장비의 보트에 담겨진 CuI 분말을 가열하여 상기 실리콘 웨이퍼에 1차로 증착시키고,상기 진공증착 장비의 챔버 환경을 고진공 환경으로 다시 형성하며,상기 진공증착 장비의 보트에 담겨진 CuI 분말을 가열하여 상기 실리콘 웨이퍼에 2차로 증착시키는 것인 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 정공 선택 접촉층은, 상기 CuI 이중 증착 공정이 수행된 이후에, 열처리 공정이 더 수행되는 것인 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,상기 CuI 분말이 1Å/S 증착속도로 증착되는 것인 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,RCA-1 공정 및 RCA-2 공정을 통한 클리닝 공정이 진행된 것인 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼에 1차로 증착시키는 1차 박막은,증착 두께 3∼5㎚가 되고, 전체 두께에서 차지하는 비율을 10∼15%로 증착되는 것인 태양전지
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