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기판 상에 유전막을 형성하는 단계;상기 유전막 상에 이차원 물질 층을 형성하는 단계;상기 이차원 물질 층 상에 서로 이격하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 이차원 물질 층 상에 불활성 가스와 도펀트 소스로 사용될 수 있는 가스를 주입하는 단계; 및상기 이차원 물질 층에 심자외선을 조사하는 단계; 를 포함하고, 상기 심자외선을 조사하여 상기 이차원 물질 층에 복수의 공공을 형성시켜 상기 도펀트를 치환 도핑하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 물질 층을 형성하는 이차원 물질은 금속 칼코겐 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물은 MoS2, WS2, TiS2, ZrS2, HfS2, VS2, NiS2, PdS2, PtS2, ReS2, GaS, InxSy, GeS, SnS2, Bi2S3, MoSe2, WSe2, TiSe2, ZrSe2, HfSe2, NiSe2, PdSe2, PtSe2, ReSe2, GaSe, InxSey, GeSe, SnSe2, Bi2Se3, MoTe2, WTe2, TiTe2, ZrTe2, HfTe2, PdTe2, PtTe2, InxTey, GeTe 및 Bi2Te3 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도펀트 소스로 사용될 수 있는 가스는 O3, O2, NO, NO2, NH3, PH3, N2 및 Cl2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 심자외선을 조사하는 단계는 15℃ 내지 250℃ 범위의 온도를 유지하는 분위기 하에서 심자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 심자외선은 4
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제1항에 있어서,상기 심자외선을 조사하는 단계는 심자외선을 30분 내지 120분 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 기반 광검출기의 제조방법
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제1항 내지 7항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 이차원 물질 기반 광검출기
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기판 상에 이차원 물질 층을 배치하는 단계;상기 이차원 물질 층 상에 불활성 가스와 도펀트 소스로 사용될 수 있는 가스를 주입하는 단계; 및상기 이차원 물질 층에 심자외선을 조사하는 단계; 를 포함하고, 상기 심자외선을 조사하여 상기 이차원 물질 층에 복수의 공공을 형성시켜 상기 도펀트를 치환 도핑하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 층의 치환 도핑 방법
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제9항에 있어서,상기 심자외선을 조사하는 단계는 15℃ 내지 250℃ 범위의 온도를 유지하는 분위기 하에서 심자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 층의 치환 도핑 방법
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제9항에 있어서,상기 심자외선을 조사하는 단계는 심자외선을 30분 내지 120분 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질 층의 치환 도핑 방법
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