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제1 도전형의 SiC 단결정 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 제1 도펀트 농도를 갖는 제1 도전형의 에피택셜층을 형성하는 단계; 및상기 에피택셜층 내의 최소한 일부에 제1 도펀트 농도보다 높은 제2 도펀트 농도의 제2 도펀트를 제1 깊이로 이온주입하는 단계;를 포함하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 도펀트는 질소이고, 제1 도펀트 농도는 105~1015/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 도펀트는 질소이고 제2 도펀트 농도는 1013~1018/cm3인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 쇼트키 배리어 다이오드이고, 상기 이온주입 단계 이후에,상기 에피택셜층 상에 쇼트키 컨택트를 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 배면에 오믹 컨택트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 핀 다이오드, MOSFET, JFET, BJT, Thyristor 또는 IGBT인 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 깊이는 상기 에피택셜층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법
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